超前自学网北京交通大学《电力电子技术》期末考试题集汇总
奥鹏北京交通大学期末考试题集参考
北京交通大学《电力电子技术》奥鹏期末考试题库合集
单选题：
（1）准谐振电路中电压或电流的波形为（ ）。
A.正弦波
B.余弦波
C.正切波
D.余切波
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（2）晶闸管是（ ）电力电子器件。
A.半控型
B.全控型
C.整流型
D.逆变型
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（3）当移相控制角在0~/2范围内变化时，单相全波整流电路直流侧输出电压（ ）。
A.大于0
B.小于0
C.大于1
D.小于1
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（4）增大热时间常数，则器件的瞬时功率容量（ ）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.无关
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（5）GTO和GTR为（ ）驱动型器件。
A.电流
B.电压
C.电阻
D.电抗
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（6）晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从（ ）流出。
A.阳极
B.阴极
C.正极
D.负极
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（7）三相四线交流调压电路各晶闸管门极触发脉冲，同相间两管的触发脉冲互差（ ）。
A.30
B.60
C.90
D.180
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（8）电流型三相桥式变换电路的基本工作方式是（ ）。
A.120导通
B.30导通
C.45导通
D.150导通
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（9）晶闸管的电流容量越大，要求的触发功率（ ）。
A.越小
B.越大
C.不变
D.无关
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（10）IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段，温度系数（ ）。
A.大于0
B.小于0
C.大于1
D.小于1
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（11）二次击穿是指当GTR的（ ）电流增大到某个临界点时会突然急剧上升。
A.集电极电流
B.基极电流
C.正极电流
D.负极电流
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（12）驱动损耗是指器件在开关过程中消耗在控制极上的功率及在导通过程中维持一定的控制极（ ）所消耗的损耗。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.电抗
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（13）公共交流母线进线方式组成的三相交-交变频电路由（ ）彼此独立的交-交变频电路构成。
A.3
B.4
C.5
D.6
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（14）开关电源的效率通常可达（ ）以上。
A.75%
B.80%
C.85%
D.90%
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（15）三相桥式全控整流电路宽脉冲触发要求触发脉冲的宽度大于（ ）。
A.30
B.45
C.60
D.90
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（16）开通时间为延迟时间与（ ）之和。
A.上升时间
B.下降时间
C.流入时间
D.流出时间
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（17）单结晶体管的分压比为（ ）。
A奥鹏北京交通大学期末考试题集参考.0.3~0.9
B.1.2~1.4
C.1.5~1.8
D.2.7~2.9
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（18）当PN结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻值为常量，管压降随正向电流的上升而（ ）。
A.增加
B.减少
C.先增加后减少
D.先减少后增加
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（19）单相半波可控整流电路带阻感性负载的移相范围为（ ）。
A.0~/6
B.0~/3
C.0~/2
D.0~
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（20）GRT关断时要经历储存时间和（ ）。
A.下降时间
B.上升时间
C.控制时间
D.释放时间
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（21）普晶闸管的关断时间为（ ）。
A.几微秒
B.几十微秒
C.几百微秒
D.几毫秒
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（22）晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。
A.越大
B.越小
C.不变
D.越稳定
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（23）晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。
A.有效值
B.最大值
C.平均值
D.瞬时值
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（24）双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。
A.一个
B.两个
C.三个
D.四个
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（25）比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( )
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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（26）比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( )
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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（27）比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( )
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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（28）二极管两端加上正向电压时( )
A.一定导通
B.超过死区电压才导通
C.超过0.3V才导通
D.超过0.7V才导通
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（29）下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是( )
A.
B.
C.
D.
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（30）下列电力半导体器件电路符号中,表示GTR器件电路符号的是( )
A.
B.
C.
D.
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（31）下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET器件电路符号的是( )
A.
B.
C.
D.
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（32）按逆变电路的( ),分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。
A.器件
B.输出电能
C.直流侧电源性质
D.电流波形
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（33）在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选( )为最好
A.900-1800
B.350-900
C.00-900
D.100-200
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多选题：
（1）电力二极管的主要类型有：（ ）。
A.普通二极管
B.快恢复二极管
C.肖特二极管
D.恢复二极管
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（2）电力二极管的主要参数有：（ ）。
A.正向平均电流
B.正向压降
C.反向重复峰值电压
D.最高工作结温
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（3）准谐振电路可以分为：（ ）。
A.零电压开关准谐振电路
B.零电流开关准谐振电路
C.零电压开关多谐振电路
D.用于逆变器的谐振直流环节电路
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（4）以下电路可以实现DC-DC变换的是：（ ）。
A.斩波电路
B.逆变-整流电路
C.逆变电路
D.整流电路
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（5）晶闸管的均流措施主要包括（ ）。
A.挑选特性参数尽量一致的器件
B.采用均流电抗器
C.用门极强脉冲触发有助于动态均流
D.当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法连接
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（6）电力MOSFET的主要参数有：（ ）。
A.漏极电压
B.漏极直流电流
C.栅源电压
D.极间电容
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（7）以下电子器件为全控型电力电子器件的是（ ）。
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
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（8）以下为晶闸管触发电路应满足的要求为：（ ）。
A.触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通
B.触发脉冲应有足够的幅度
C.触发脉冲要满足主电路移相范围的要求
D.触发电路应有良好的抗干扰性
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（9）按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为：（ ）。
A.双极性器件
B.单极性器件
C.复合型器件
D.回路型器件
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（10）按照构成材料，电力电子器件可分为：（ ）。
A.电真空器件
B.半导体器件
C.晶闸管
D.IGBT
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（11）零开关PWM电路可分为：（ ）。
A.零电压开关PWM电路
B.零电流开关PWM电路
C.零电阻开关PWM电路
D.零电抗开关PWM电路
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（12）三相桥式有源逆变电路最小逆变角的选取需要考虑以下因素：（ ）。
A.换相重叠角
B.晶闸管关断时间所对应的电角度
C.安全裕量角
D.最小裕度角
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（13）KC04集成移相触发器主要包括：（ ）。
A.同步电路
B.锯齿波形成电路
C.移相电路
D.脉冲形成和输出电路
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（14）三相交-交变频电路接线形式有：（ ）。
A.公共交流母线进线方式
B.输出星形联结方式
C.输入星形联结方式
D.单母线方式
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（15）常用的电流型变换电路有：（ ）。
A.单相桥式变换电路
B.三相桥式变换电路
C.单相整流电路
D.三相整流电路
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（16）电力场效应晶体管可分为：（ ）。
A.结型
B.绝缘栅型
C.电压型
D.电流型
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（17）以下为开关电源的优点的为：（ ）。
A.效率高
B.体积小
C.输入交流电压的适应范围宽
D.电路形式灵活多样
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（18）按照控制方式，电力电子器件可分为：（ ）。
A.不可控器件
B.全控型器件
C.半控型器件
D.自动器件
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（19）常用的SPWM波形成方法有：（ ）。
A.自然采样法
B.数字控制法
C.模拟控制法
D.采用SPWM专用集成芯片
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（20）晶闸管的动态参数主要有：（ ）。
A.开通时间
B.关断时间
C.断态电压临界上升率
D.通态电流临界上升率
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（21）以下损耗为电子器件的功率损耗的是：（ ）。
A.开关损耗
B.通态损耗
C.断态损耗
D.驱动损耗
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（22）变换器采用的过电流保护方法有：（ ）。
A.交流进线电抗器
B.电流检测装置
C.直流快速开关
D.快速熔断器
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（23）在SPWM型逆变器中所采用的电力电子器件有：（ ）。
A.GTO
B.BJT
C.IGBT
D.MOSFET
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（24）晶闸管的换流方式有：（ ）。
A.电网换流
B.负载换流
C.强迫换流
D.循环换流
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（25）电力电子器件在实际应用中，其组成包括：（ ）。
A.主电路
B.控制电路
C.驱动电路
D.门电路
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（26）按照驱动形式，电力电子器件可分为：（ ）。
A.电流驱动型
B.电压驱动型
C.电阻驱动型
D.电抗驱动型
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（27）按沟道半导体材料的不同，MOSFET可分为：（ ）。
A.P沟道
B.N沟道
C.S沟道
D.M沟道
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（28）以下触发方式可触发导通二极管的有：（ ）。
A.门极触发
B.光触发
C.电压触发
D.结温较高
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（29）脉宽调制的方法可分为：（ ）。
A.单极性调制
B.双极性调制
C.三极性调制
D.多极性调制
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（30）电力变换通常分为：（ ）。
A.交流-直流变换
B.直流-交流变换
C.交流-交流变换
D.直流-直流变换
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（31）直流斩波电路中最基本的电路是( )。
A.降压斩波电路
B.升压斩波电路
C.电流斩波电路
D.电压斩波电路
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（32）斩波电路的控制方式有( )。
A.脉冲控制
B.频率控制
C.混合控制
D.直流控制
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（33）电力电子器件可分为( )。
A.单极性器件
B.双极性器件
C.复合型器件
D.元器件
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（34）PWM逆变电路的控制方法( )。
A.计算法
B.调制法
C.规则采样法
D.一般采样法
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（35）调制法可分为( )。
A.同步调制
B.异步调制
C.总调制
D.分调制
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（36）电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括( )。
A.通态损耗
B.断态损耗
C.开关损耗
D.一般损耗
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判断题：
（1）电力电子器件所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数。（ ）
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（2）在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR的大，且具有耐脉冲电流冲击能力。（ ）
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（3）交-交变频电路的缺点为：接线复杂，使用的晶闸管数量多。（ ）
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（4）电力二极管由于结电容存在，其零偏置、正向偏置和反向偏置三种状态之间转换必然有一个过渡过程。（ ）
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（5）直流斩波电路的主要功能是直流变压与调压，当输出电压的平均值低于输入电压的平均值时，称为降压斩波器。（ ）
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（6）当晶闸管的额定电压小于应用要求时，可以把两个以上同型号的晶闸管串联起来进行使用。（ ）
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（7）斩波开关频率越高，越容易用滤波器滤除电压中的纹波。（ ）
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（8）电力二极管是以半导体PN结为基础的。（ ）
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（9）电力电子技术包括电力电子器件、变流电路和控制技术3个部分。（ ）
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（10）当PN结外加正向电压时，多子的扩散运动大于少子的漂移运动，形成扩散电流。（ ）
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（11）逆变电路是把直流电逆变成交流电的电路。（ ）
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（12）三相桥式逆变电路要求每120依次触发晶闸管。（ ）
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（13）反向重复峰值电压是指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。（ ）
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（14）负载阻抗角表示负载中电压超前电流的角度。（ ）
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（15）降压斩波电路输出电压的平均值与输入电压之比，等于斩波电路开关的导通时间与斩波周期之比。（ ）
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（16）晶闸管一旦导通，其门极就失去控制作用。（ ）
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（17）通常所用的电能有直流(DC)和交流(AC)两大类。（ ）
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（18）采用晶闸管作为开关器件组成的交流-交流变换电路只能实现降频、降压。（ ）
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（19）GTR是一种双极性的电流驱动器件，其通流能力很强，驱动电路简单。（ ）
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（20）单相半波可控整流电路具有线路简单的优点，其缺点是调整不方便。（ ）
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（21）在单相可控整流电路中，晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度为控制角。（ ）
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（22）整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。（ ）
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（23）驱动电路需要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。（ ）
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（24）变压器漏抗无法起到限制短路电流和抑制电流的目的。（ ）
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（25）电力电子器件一般都不工作在开关状态。（ ）
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（26）晶闸管的结构可由3个二极管的串联电路来进行等效。（ ）
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（27）浪涌电流是指电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。（ ）
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（28）电力电子器件的功率损耗大于信息电子器件的功率损耗。（ ）
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（29）PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现一定的电感效应。（ ）
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（30）单相桥式全控整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高的特点。（ ）
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（31）晶闸管在承受正向阳极电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。（ ）
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（32）1947年，美国的贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一场革命。（ ）
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（33）三相桥式整流电路要求每60依次触发晶闸管。（ ）
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（34）给晶闸管阳极和阴极之间加正向电压它就会导通。( )
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（35）给晶闸管的阳极和阴极之间加反向电压,已经导通的晶闸管会截止。( )
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（36）双向晶闸管的额定电流与普通晶闸管的额定电流相同。( )
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（37）KP30—9表示该晶闸管的额定电压是30V。( )
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（38）KP30—9表示该晶闸管的额定电压是9V。( )
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（39）KP30—9表示该晶闸管的额定电流是30A。( )
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（40）电力电子器件在使用中必须要加散热器。( )
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（41）晶闸管有三个电极,分别称为正极、负极和门极。( )
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（42）普通晶闸管、功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管均属于全控型器件。( )
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（43）普通晶闸管为全控型器件,可关断晶闸管为半控型器件。( )
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（44）有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。( )
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（45）无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变。( )
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填空题：
（1）电力场效应管MOSFET适于在 条件下工作
1、
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（2）要使绝缘栅双极型晶体管导通,应 。
1、
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（3）如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为 。
1、
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（4）串联谐振式逆变器属于 。
1、
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（5）并联谐振式逆变器属于 。
1、
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（6） 通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载,称为 。
1、
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简答题：
（1）双向晶闸管有哪几种触发方式?
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（2）逆变失败是指什么?
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（3）逆变失败的主要原因是什么?
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（4）SPWM调制方式是怎样实现变压功能的?
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（5）变压器漏抗对整流电路有什么影响?
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（6）晶闸管导通的条件是什么?
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