大连理工大学23秋《模拟电子技术》在线作业一

奥鹏大连理工大学23年秋季新学期作业参考

大工23秋《模拟电子技术》在线作业1-00001

关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A:基区很薄且掺杂浓度很低
B:发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C:基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D:集电区面积大于发射区面积
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在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A:同相
B:反相
C:相差90
D:不确定
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已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
A:发射极
B:集电极
C:基极
D:无法确定
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测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A:处于饱和状态
B:处于放大状态
C:处于截止状态
D:已损坏
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在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。
A:共射组态
B:共集组态
C:共基组态
D:无法确定
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温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
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晶体管能够放大的外部条件是()。
A:发射结正偏，集电结反偏
B:发射结正偏，集电结正偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
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硅二极管的完全导通后的管压降约为()。
A:0.1V
B:0.3V
C:0.5V
D:0.7V
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测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A:NPN型锗管
B:PNP型锗管
C:PNP型硅管
D:NPN型硅管
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小信号模型分析法不适合用来求解()。
A:静态工作点
B:电压增益
C:输入电阻
D:输出电阻
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当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
A:对
B:错
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射极输出器无放大功率的能力。
A:对
B:错
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一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。
A:对
B:错
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共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
A:对
B:错
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共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A:对
B:错
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利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
A:对
B:错
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温度升高,晶体管输出特性曲线上移。
A:对
B:错
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PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A:对
B:错
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N型半导体带正电。
A:对
B:错
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温度升高,晶体管输入特性奥鹏大连理工大学23年秋季新学期作业参考曲线右移。
A:对
B:错
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