奥鹏平时作业北京交通大学《电力电子技术》在线作业一

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北交《电力电子技术》在线作业一-0004

开关电源的效率通常可达( )以上。
A:75%
B:80%
C:85%
D:90%
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驱动损耗是指器件在开关过程中消耗在控制极上的功率及在导通过程中维持一定的控制极( )所消耗的损耗。
A:电压
B:电流
C:电阻
D:电抗
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晶闸管是( )电力电子器件。
A:半控型
B:全控型
C:整流型
D:逆变型
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普晶闸管的关断时间为( )。
A:几微秒
B:几十微秒
C:几百微秒
D:几毫秒
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三相桥式全控整流电路要求触发脉冲为双脉冲,相邻两个脉冲间隔为( )。
A:30
B:45
C:60
D:90
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当PN结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻值为常量,管压降随正向电流的上升而( )。
A:增加
B:减少
C:先增加后减少
D:先减少后增加
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半桥式变换电路适用于输出功率范围为( )的变换电路。
A:数百瓦至数千瓦
B:数千瓦至数万瓦
C:数万瓦至数十万瓦
D:数十万瓦至数百万瓦
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增强型功率MOSFET的输入阻抗最高可达( )。
A:105
B:108
C:1010
D:1015
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公共交流母线进线方式组成的三相交-交变频电路由( )彼此独立的交-交变频电路构成。
A:3
B:4
C:5
D:6
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IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段,温度系数( )。
A:大于0
B:小于0
C:大于1
D:小于1
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按照驱动形式,电力电子器件可分为:( )。
A:电流驱动型
B:电压驱动型
C:电阻驱动型
D:电抗驱动型
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电力二极管的主要参数有:( )。
A:正向平均电流
B:正向压降
C:反向重复峰值电压
D:最高工作结温
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以下为开关电源的优点的为:( )。
A:效率高
B:体积小
C:输入交流电压的适应范围宽
D:电路形式灵活多样
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KC04集成移相触发器主要包括:( )。
A:同步电路
B:锯齿波形成电路
C:移相电路
D:脉冲形成和输出电路
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按沟道半导体材料的不同,MOSFET可分为:( )。
A:P沟道
B:N沟道
C:S沟道
D:M沟道
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同步调制控制方式的特点有:( )。
A:调制相对复杂,通常采用微机调制
B:调制简单
C:在调制信号的半个周期内,输出脉冲的个数是固定不变的
D:在调制信号的半个周期内,输出脉冲的个数是变化的
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以下器件为晶闸管的派生器件的为:( )。
A:快速晶闸管
B:双向晶闸管
C:逆导晶闸管
D:光控晶闸管
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以下电路可以实现DC-DC变换的是:( )。
A:斩波电路
B:逆变-整流电路
C:逆变电路
D:整流电路
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晶闸管伏安特性曲线包括:( )。
A:截止区
B:负阻区
C:饱和区
D:控制区
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晶闸管的均流措施主要包括( )。
A:挑选特性参数尽量一致的器件
B:采用均流电抗器
C:用门极强脉冲触发有助于动态均流
D:当需要同时串联和并联晶闸管时,通常采用先串后并的方法连接
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三相桥式逆变电路要求每120依次触发晶闸管。( )
A:错误
B:正确
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1947年,美国的贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一场革命。( )
A:错误
B:正确
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电力二极管是以半导体PN结为基础的。( )
A:错误
B:正确
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三相半波整流电路与单相半波整流电路相比,输出电压脉动小,输出功率大。( )
A:奥鹏远程教育北京交通大学平时作业错误
B:正确
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三相桥式整流电路要求每60依次触发晶闸管。( )
A:错误
B:正确
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单相桥式全控整流电路具有输出电流脉动小,功率因数高的特点。( )
A:错误
B:正确
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在一定范围内,感性负载的导通角比电阻性负载的大,并随电感量的增加而增大。( )
A:错误
B:正确
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晶闸管在承受正向阳极电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。( )
A:错误
B:正确
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电力电子器件的功率损耗大于信息电子器件的功率损耗。( )
A:错误
B:正确
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变压器漏抗无法起到限制短路电流和抑制电流的目的。( )
A:错误
B:正确
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