奥鹏作业北京交通大学《模拟数字电路》在线作业一

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北交《模拟数字电路》在线作业一-0003

硅二极管的死区电压约为________伏。
A:0.1
B:0.7
C:0.2
D:0.5
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在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是________。
A:截止失真
B:饱和失真
C:交越失真
D:频率失真
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在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流
主要是________ ，N 型半导体中的电流主要是 ________。
A:电子电流,空穴电流
B:空穴电流,电子电流
C:电子电流,电子电流
D:空穴电流,空穴电流
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PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流________，反向电阻________，PN结处于截止状态 。
A:较大，较小
B:较小，较大
C:较大，较大
D:较小，较小
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PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流________，正向电阻________，PN结处于导通状态 。
A:较大，较小
B:较小，较大
C:较大，较大
D:较小，较小
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对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是_________。
A:通过大电阻接地（1.5K）
B:悬空
C:通过小电阻接地（1K）
D:通过电阻接VCC
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半加器的输出端与输入端的逻辑关系是？ ________
A:与非
B:或非
C:与或非
D:异或
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电压负反馈使输出电阻_________。
A:减少
B:增大
C:不变
D:为零
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在P型半导体中，________为多数载流子。在N型半导体中，________为多数载流子。
A:空穴，空穴
B:空穴，电子
C:电子，电子
D:电子，空穴
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在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成________型半导体，如掺入五价元素，就会形成________型半导体。
A:P,N
B:N,P
C:P,P
D:N,N
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电感元件具有______的特性。
A:通低频阻高频
B:高频和低频都导通
C:通高频阻低频
D:高频和低频都阻止
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锗二极管的死区电压约为________伏。
A:0.1
B:0.7
C:0.2
D:0.5
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有10101的二进制代码，表示十进制数为________。
A:11
B:20
C:21
D:25
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指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路应该是？ ________
A:JK触发器
B:3/8线译码器
C:移位寄存器
D:十进制计数器
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电容C具有______的作用。
A:隔直通交
B:隔交通直
C:隔直隔交低频
D:通直通交
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共发射极电路的饱和区描述正确的？_________
A:发射结处于反向偏置
B:发射结处于正向偏置
C:集电结处于正偏
D:集电结处于反偏
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CMOS电路和TTL电路比较的优点？ ________
A:静态功耗低
B:扇出系数大
C:允许电源电压范围宽
D:带负载能力强
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电容滤波电路的特点？ _________
A:输出电压的脉动程度与平均值Uo与放电时间常数RLC有关
B:采用电容滤波时，带负载能力较差
C:流过二极管的瞬时电流很大
D:电容滤波适合于要求输出电压较低、负载电流较大且负载变化较大的场合
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运算放大器电路反馈类型的判别方法？_________
A:反馈电路直接从输出端引出的，是电压反馈；从负载电阻RL的靠近“地”端引出的，是电流反馈
B:对串联反馈，输入信号和反馈信号的极性相同时，是负反馈；极性相反时，是正反馈
C:对并联反馈，净输入电流等于输入电流和反馈电流之差时，是负反馈；否则是正反馈
D:输入信号和反馈信号分别加在两个输入端（同相和反相）上的，是串联反馈；加在同一个输入端（同相或反相）上的，是并联反馈
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正弦量的三要素是什么？_________
A:幅值
B:周期
C:角频率
D:初相位
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下列哪一个是按照电路结构对触发器进行分类的？_________
A:基本RS触发器
B:T触发器
C:同步触发器
D:主从触发器
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共发射极电路实现放大的条件？ _________
A:晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏
B:正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区
C:输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流
D:输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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共发射极电路的电压放大作用描述正确的？_________
A:若参数选取得当，输出电压可比输入电压大
B:共发射极电路具有反相作用
C:共发射极电路不具有反相作用
D:加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变
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晶体管主要参数描述正确的是？________
A:常用晶体管的放大倍数值在20 ~ 200之间。100左右为宜
B:集-基极反向截止电流越小越好
C:集-射极反向截止电流受温度影响较大
D:三极管的温度特性较差
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功率放大电路与电流放大电路的区别是？_________
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
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共射极放大电路特点？ _________
A:放大倍数高
B:输入电阻低
C:输出电阻高
D:输出电阻低
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温度变化对静态工作点的影响有哪些？_________
A:当温度升高时， 放大电路输出特性曲线上移
B:当温度升高时， 放大电路输出特性曲线下移
C:当温度升高时， 晶体管容易进入饱和区，造成饱和失真
D:温度升高时，一般不会烧坏三极管
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按其导电类型可将场效应晶体管分为____ 和____ 两种，按其导电沟道的形成过程可分为____ 和____ 两种
A:N沟道
B:P沟道
C:耗尽型
D:增强型
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直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是？_________
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
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电容将电能转换为电场能储存在电容中，下面哪些描述是正确的？
_________
A:当电压增大时，电场能增大，电容元件从电源取用电能
B:当电压增大时，电场能减小，电容奥鹏远程教育北京交通大学平时作业元件从电源放还电能
C:当电压减小时，电场能增大大，电容元件向电源取用能量
D:当电压减小时，电场能减小，电容元件向电源放还能量
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双稳态触发器的特点？ _________
A:有两个稳定状态“0”态和“1”态
B:能根据输入信号将触发器置成“0”或“1”态
C:具有记忆功能
D:输入信号消失后，被置成的“0”或“1”态
丢失
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关于时序逻辑电路的特点说法正确的？ _________
A:电路的输出状态仅取决于当时的输入信号
B:电路的输出状态与电路原来的状态有关
C:具有存贮记忆功能
D:不具有存贮记忆功能
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电路中某处短路时的特征?_________
A:短路处的电压等于零
B:短路处的电压无穷大
C:短路处的电流视电路情况而定
D:短路处的电流为无穷大
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二极管伏安特性说法正确的？ ________
A:外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性
B:外加电压大于死区电压，二极管才能导通
C:二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零
D:二极管是理想的，反向截止时二极管相当于断开
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并联电压负反馈的特点？_________
A:输入电阻低
B:输入电阻高
C:输出电阻低
D:输出电阻高
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A、B两个输入变量中只要有一个为“1”，输出就为“1”，当A、B均为“0”时输出才为“0”，则该逻辑运算称为与运算。
A:错误
B:正确
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利用二进制数的按权展开式，可以将任意一个二进制数转换成相应的十进制数。
A:错误
B:正确
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基本RS触发器的约束条件是输入信号R和S不能同时为0。
A:错误
B:正确
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三极管正偏时基极电流不能太大，以免发射结烧坏。
A:错误
B:正确
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在半导体中，有自由电子和空穴两种载流子导电。
A:错误
B:正确
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载流子的两种运动分别为扩散运动和聚合运动。
A:错误
B:正确
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把二进制码按一定规律编排，使每组代码具有一特定的含义，称为编码。具有编码功能的逻辑电路称为编码器。
A:错误
B:正确
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在模拟电路中，晶体管三极管通常工作在放大区。
A:错误
B:正确
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利用稳压管的反向击穿特性可以稳定直流电压。
A:错误
B:正确
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放大器件是电子电路的核心。
A:错误
B:正确
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三极管的基区很厚，且掺杂比较高。
A:错误
B:正确
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A、B两个输入变量都为“1”，输出才为“1”；当A、B有一个为“0”时输出就为“0”，则该逻辑运算称为或运算。
A:错误
B:正确
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三极管可在电路中用作可控开关。
A:错误
B:正确
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基本共射放大电路，当温度升高时，Q点将移向饱和区。
A:错误
B:正确
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稳压管是一种特殊的二极管，可用来稳定直流电压。
A:错误
B:正确
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