北京交通大学《电力电子技术》在线作业二

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北交《电力电子技术》在线作业二-0001

公共交流母线进线方式组成的三相交-交变频电路由（）彼此独立的交-交变频电路构成。
A:3
B:4
C:5
D:6
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三相桥式全控整流电路宽脉冲触发要求触发脉冲的宽度大于（）。
A:30
B:45
C:60
D:90
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GRT关断时要经历储存时间和（）。
A:下降时间
B:上升时间
C:控制时间
D:释放时间
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增大热时间常数，则器件的瞬时功率容量（）。
A:增大
B:减小
C:不变
D:无关
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IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段，温度系数（）。
A:大于0
B:小于0
C:大于1
D:小于1
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半桥式变换电路适用于输出功率范围为（）的变换电路。
A:数百瓦至数千瓦
B:数千瓦至数万瓦
C:数万瓦至数十万瓦
D:数十万瓦至数百万瓦
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国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为（）下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
A:30℃
B:40℃
C:50℃
D:60℃
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三相四线交流调压电路各晶闸管门极触发脉冲，同相间两管的触发脉冲互差（）。
A:30
B:60
C:90
D:180
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晶闸管的电流容量越大，要求的触发功率（）。
A:越小
B:越大
C:不变
D:无关
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单相半波可控整流电路带阻感性负载的移相范围为（）。
A:0~/6
B:0~/3
C:0~/2
D:0~
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电力MOSFET的主要参数有：（）。
A:漏极电压
B:漏极直流电流
C:栅源电压
D:极间电容
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按沟道半导体材料的不同，MOSFET可分为：（）。
A:P沟道
B:N沟道
C:S沟道
D:M沟道
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按照构成材料，电力电子器件可分为：（）。
A:电真空器件
B:半导体器件
C:晶闸管
D:IGBT
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晶闸管的均流措施主要包括（）。
A:挑选特性参数尽量一致的器件
B:采用均流电抗器
C:用门极强脉冲触发有助于动态均流
D:当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法连接
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以下损耗为电子器件的功率损耗的是：（）。
A:开关损耗
B:通态损耗
C:断态损耗
D:驱动损耗
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IGBT的静态特性主要包括：（）。
A:转移特性
B:输出特性
C:输入特性
D:电阻特性
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准谐振电路可以分为：（）。
A:零电压开关准谐振电路
B:零电流开关准谐振电路
C:零电压开关多谐振电路
D:用于逆变器的谐振直流环节电路
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以下为开关电源的优点的为：（）。
A:效率高
B:体积小
C:输入交流电压的适应范围宽
D:电路形式灵活多样
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以下为晶闸管触发电路应满足的要求为：（）。
A:触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通
B:触发脉冲应有足够的幅度
C:触发脉冲要满足主电路移相范围的要求
D:触发电路应有良好的抗干扰性
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压敏电阻的主要特性参数有：（）。
A:额定电压
B:残压比
C:允许的通流容量
D:额定电阻
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三相桥式逆变电路要求每120依次触发晶闸管。（）
A:错误
B:正确
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在一定范围内，感性负载的导通角比电阻性负载的大，并随电感量的增加而增大。（）
A:错误
B:正确
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交-交变频电路是不通过中间直流环节而将电网频率的交流电直接变换成不同频率的交奥鹏远程教育北京交通大学平时作业流电的交流变换电路。（）
A:错误
B:正确
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整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。（）
A:错误
B:正确
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直流斩波电路的主要功能是直流变压与调压，当输出电压的平均值低于输入电压的平均值时，称为降压斩波器。（）
A:错误
B:正确
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1947年，美国的贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一场革命。（）
A:错误
B:正确
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PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现一定的电感效应。（）
A:错误
B:正确
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晶闸管的结构可由3个二极管的串联电路来进行等效。（）
A:错误
B:正确
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逆变电路是把直流电逆变成交流电的电路。（）
A:错误
B:正确
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在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为主电路。（）
A:错误
B:正确
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