北京交通大学《电力电子技术》在线作业一

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北交《电力电子技术》在线作业一-0001

晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从（）流出。
A:阳极
B:阴极
C:正极
D:负极
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GTR是用（）来控制集电极电流的。
A:基极电流
B:正极电流
C:负极电流
D:发射极电流
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电流型三相桥式变换电路的基本工作方式是（）。
A:120导通
B:30导通
C:45导通
D:150导通
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增强型功率MOSFET的输入阻抗最高可达（）。
A:105
B:108
C:1010
D:1015
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晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管阳极电流和（）之间的关系曲线。
A:阴极电压
B:阳极电压
C:阴极电流
D:阳极电阻
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二次击穿是指当GTR的（）电流增大到某个临界点时会突然急剧上升。
A:集电极电流
B:基极电流
C:正极电流
D:负极电流
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准谐振电路中电压或电流的波形为（）。
A:正弦波
B:余弦波
C:正切波
D:余切波
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随着门极电流幅值的增大，晶闸管开通所需要的正向电压在（）。
A:逐步增加
B:逐步降低
C:不变
D:先增大后降低
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单相半波可控整流电路带阻感性负载的移相范围为（）。
A:0~/6
B:0~/3
C:0~/2
D:0~
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当移相控制角在0~/2范围内变化时，单相全波整流电路直流侧输出电压（）。
A:大于0
B:小于0
C:大于1
D:小于1
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KC04集成移相触发器主要包括：（）。
A:同步电路
B:锯奥鹏远程教育北京交通大学平时作业齿波形成电路
C:移相电路
D:脉冲形成和输出电路
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按照构成材料，电力电子器件可分为：（）。
A:电真空器件
B:半导体器件
C:晶闸管
D:IGBT
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脉宽调制的方法可分为：（）。
A:单极性调制
B:双极性调制
C:三极性调制
D:多极性调制
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按照控制方式，电力电子器件可分为：（）。
A:不可控器件
B:全控型器件
C:半控型器件
D:自动器件
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压敏电阻的主要特性参数有：（）。
A:额定电压
B:残压比
C:允许的通流容量
D:额定电阻
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以下电子器件为全控型电力电子器件的是（）。
A:GTO
B:GTR
C:P-MOSFET
D:IGBT
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谐波的危害有：（）。
A:发电机、输电变压器发热增加
B:对晶闸管装置产生干扰
C:交流电动机的铁耗铜损增加
D:影响精密仪器测量精度
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晶闸管的均流措施主要包括（）。
A:挑选特性参数尽量一致的器件
B:采用均流电抗器
C:用门极强脉冲触发有助于动态均流
D:当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法连接
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以下电路可以实现DC-DC变换的是：（）。
A:斩波电路
B:逆变-整流电路
C:逆变电路
D:整流电路
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电力MOSFET的主要参数有：（）。
A:漏极电压
B:漏极直流电流
C:栅源电压
D:极间电容
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电力电子技术包括电力电子器件、变流电路和控制技术3个部分。（）
A:错误
B:正确
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单结晶体管触发电路结构简单，输出脉冲前沿陡，抗干扰能力强。（）
A:错误
B:正确
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晶闸管一旦导通，其门极就失去控制作用。（）
A:错误
B:正确
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晶闸管最重要的特征是正向导通的可控性。（）
A:错误
B:正确
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斩波开关频率越高，越容易用滤波器滤除电压中的纹波。（）
A:错误
B:正确
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直流斩波电路的主要功能是直流变压与调压，当输出电压的平均值低于输入电压的平均值时，称为降压斩波器。（）
A:错误
B:正确
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在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR的大，且具有耐脉冲电流冲击能力。（）
A:错误
B:正确
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电力电子器件所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数。（）
A:错误
B:正确
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将3个单相调压器接在对称的三相交流电源上，让其互差120相位工作，构成了一个三相交流调压电路。（）
A:错误
B:正确
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反向重复峰值电压是指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。（）
A:错误
B:正确
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