奥鹏教育北理工《射频技术与无线通信》在线作业

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北理工《射频技术与无线通信》在线作业-0003

HMIC指的是( )。
A:混合微波集成电路
B:高频微波集成电路
C:单片微波集成电路
D:微波集成电路
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通常为一个系统的信号输出与信号输入的比率指的是( )。
A:品质因素
B:增益
C:调制
D:编码
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对于功率放大器件来说,常用到线性动态范围下限为输出噪声基底,上限为输出()。
A:功放最大值
B:1dB压缩点
C:带宽增益积
D:最大功率的一半
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下变频器的非线性效应,会产生众多组合干扰频率,其中落在( )信号带宽内的频点,会对有用信号形成干扰,通常把这些组合频率引起的干扰称为寄生通道干扰。
A:中频
B:射频
C:发射
D:接收
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灵敏度是在给定了接收机输出信噪比SNR的情况下,接收机所能检测到的( )输入信号电平。
A:最大
B:平均
C:最低
D:峰值
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探针台单扫频系统已实现直流到( )信号的测量。
A:40GHz
B:120GHz
C:60GHz
D:220GHz
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系统链路计算增益的时候,遵循( )逐级相加的原则,将各级的增益按照分贝相加即可。
A:由前向后
B:由后向前
C:由上向下
D:由下向上
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PHEMT指的是( )。
A:印制线路板
B:高电子迁移率晶体管
C:印制电路板
D:高浓度掺杂板
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电压反射系数是反射电压波与入射电压波之( )。
A:比值
B:和
C:差
D:积
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采用非线性结电容进行倍频,其变换效率(需要的倍频输出信号与射频输入信号功率之比)较高,理论上可以达到( )。
A:70%
B:80%
C:90%
D:100%
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接收机结构可以分类为( )。
A:超外差结构
B:直接下边频结构
C:零中频结构
D:低中频结构
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按晶体管放大器的配置来分类,对场效应管来说,可分为( )三种基本类型。
A:共源
B:共栅
C:共漏
D:共基
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驻波是在( )相同而传播方向相反的两列波叠加时产生的。
A:振动频率
B:振幅
C:传播速度
D:相速
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多址方式分为( )和包分多址。
A:频分多址
B:时分多址
C:码分多址
D:空分多址
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验收微波设备时ODU
和天线部分需要检查哪些方面( )。
A:设备固定的是否安全
B:天线的防雷和接地是否有效、可靠
C:设备是否松动，能否防震
D:检查立杆、接地部分是否防锈
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锁相环的基本构成包括( )。
A:鉴相器（PD）
B:环路滤波器（LPF）
C:压控振荡器（VCO）
D:以上全对
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滤波器电路可分类为( )两种。
A:高通滤波器
B:有源滤波器
C:低通滤波器
D:无源滤波器
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衰减器分为( )衰减器。
A:吸收式
B:反射式
C:传输式
D:并联型
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CAD软件一般包括()和电磁场求解程序包。
A:原理图编辑子软件
B:模拟引擎子程序包
C:输出处理子程序包
D:版图编辑器子程序包
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按照导通角来分,放大器可以分为( )放大器。
A:A类
B:B类
C:C类
D:D类
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电容管中电容随着负偏压的增大而减小。
A:对
B:错
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开关插入损耗定义为理想开关在导通状态时传递给负载的功率与实际开关在导通状态时真正传给负载的功率之比。
A:对
B:错
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带状线的特性阻抗是由线的厚度和宽度、介质的介电常数以及两层导电平面间的距离决定的。
A:对
B:错
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MOSFET是指金属半导体场效应管,在数字集成电路领域占据主导地位。
A:对
B:错
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网络的串联,一般以阻抗矩阵参量来进行,网络的并联,以导纳矩阵参量来进行分析,而网络的级联,以ABCD矩阵参量来进行。
A:对
B:错
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频率合成器是一个或几个参考频率源产生一个或多个频率的系统元件的组合。
A:对
B:错
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传输线(高频)是能够支持TEM或非TEM传输模式的导体结构。
A:对
B奥鹏远程教育北京理工大学平时在线作业:错
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相位噪声一般是指在系统内各种噪声作用下引起的输出信号相位的随机起伏。
A:对
B:错
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混频器中的噪声是由二极管或晶体管元件及造成电阻性损耗的热源产生的。
A:对
B:错
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电波在实际媒质中的传播是有能量损耗的,这个损耗就称之为传输损耗。
A:对
B:错
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