奥鹏远程教育北理工《模拟电子技术》在线作业

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北理工《模拟电子技术》在线作业-0004

温度升高，晶体管的管压降|UBE|（）
A:升高
B:降低
C:不变
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UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
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PN结加正向电压时，空间电荷区将( ) 。
A:变窄
B:基本不变
C:变宽
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放大电路产生零点漂移的主要原因是：（）
A:电压增益太大
B:环境温度变化
C:采用直接耦合方式
D:采用阻容耦合方式
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稳压二极管构成的稳压电路，其接法是（）。
A:稳压二极管与负载电阻串联
B:稳压二极管与负载电阻并联
C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联
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在电压放大电路的高频截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（）。
A:1
B:10
C:1.414
D:0.707
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当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A:前者反偏、后者也反偏
B:前者正偏、后者反偏
C:前者正偏、后者也正偏
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功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大( )
A:交流功率
B:直流功率
C:平均功率
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某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5A和5 mA，输出端接2k电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则AI( )。
A:46dB
B:40dB
C:43dB
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温度影响了放大电路中的（），从而使静态工作点不稳定。
A:电阻
B:电容
C:三极管
D:电源
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关于集成运算放大器，下列说法正确的是（）
A:集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B:集成运放只能放大直流信号
C:希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小
D:集成运放的CMRR大
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功率放大电路与电流放大电路的区别是（）
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
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为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用( )滤波电路；为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用( )滤波电路。
A:带阻
B:带通
C:低通
D:有源
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放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
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直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
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欲实现Au＝－100的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A:反相比例运算电路
B:同相比例运算电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
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功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
A:前者比后者电源电压高
B:前者比后者电压放大倍数数值大
C:前者比后者效率高
D:在电源电压相同的情况下，奥鹏远程教育北京理工大学平时在线作业前者比后者的最大不失真输出电压大
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在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( )。
A:ICM
B:ICBO
C:PCM
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UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
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要求输入电阻大于10M，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。
A:共源电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共射电路
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在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（）
A:错误
B:正确
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在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）
A:错误
B:正确
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）
A:错误
B:正确
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直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（）
A:错误
B:正确
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各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。（）
A:错误
B:正确
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电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）
A:错误
B:正确
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凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（）
A:错误
B:正确
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在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
A:错误
B:正确
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只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）
A:错误
B:正确
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当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。（）
A:错误
B:正确
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