大工20春《模拟电子技术》在线作业1

关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A:基区很薄且掺杂浓度很低
B:发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C:基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D:集电区面积大于发射区面积

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A:NPN型锗管
B:PNP型锗管
C:PNP型硅管
D:NPN型硅管

在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A:共射极
B:共集电极
C:共基极
D:不确定

引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A:输入电阻太小
B:静态工作点偏低
C:静态工作点偏高
D:输出电阻太小

在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷

在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A:同相
B:反相
C:相差90°
D:不确定

在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A:饱和失真
B:截止失真
C:交越失真
D:线性失真

晶体管能够放大的外部条件是()。
A:发射结正偏，集电结反偏
B:发射结正偏，集电结正偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏

对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:不确定

射极输出器无放大功率的能力。
A:对
B:错

温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
A:对
B:错

二极管是非线性器件。
A:对
B:错

对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
A:对
B:错

共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
A:对
B:错

BJT有三个极、三个区、三个PN结。
A:对
B:错

阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
A:对
B:错

半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A:对
B:错

当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
A:对
B:错

N型半导体带正电。
A:对
B:错