华师大《模拟电子技术》在线作业

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华师《模拟电子技术》在线作业-0004

稳压二极管构成的稳压电路,其接法是( )。
A:稳压二极管与负载电阻串联
B:稳压二极管与负载电阻并联
C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联
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当负载变化时,要使输出电流稳定不变,并可提高输入电阻,应引入( )负反馈
A:电压并联
B:电流并联
C:电压串联
D:电流串联
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三极管实现放大作用的内部结构条件是:发射区掺杂浓度( ),基区( ),且掺杂浓度( )。
A:很高很薄很低
B:很低很薄很高
C:很高很厚很低
D:很低很厚很高
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功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )
A:交流功率
B:直流功率
C:平均功率
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为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( )
A:共射放大电路
B:共集放大电路
C:共基放大电路
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当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。
A:增大
B:不变
C:减小
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对于放大电路,所谓开环是指( )。
A:无信号源
B:无反馈通路
C:无电源
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差分放大电路由双端输入变为单端输入,则差模电压增益( )
A:增加一倍
B:为双端输入时的1/2
C:不变
D:不确定
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某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5A和5 mA,输出端接2k电阻负载,测量到正弦电压信号峰—峰值1V,则AI( )。
A:46dB
B:40dB
C:43dB
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用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U1=2.8V的那个极是( ).
A:发射极奥鹏华中师范大学平时在线作业
B:基极
C:集电极
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UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
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功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
A:前者比后者电源电压高
B:前者比后者电压放大倍数数值大
C:前者比后者效率高
D:在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大
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功率放大电路与电流放大电路的区别是( )
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
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欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
A:反相比例运算电路
B:同相比例运算电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
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为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路。
A:带阻
B:带通
C:低通
D:有源
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关于集成运算放大器,下列说法正确的是( )
A:集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B:集成运放只能放大直流信号
C:希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小
D:集成运放的CMRR大
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放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
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要求输入电阻大于10M,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。
A:共源电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共射电路
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在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。
A:ICM
B:ICBO
C:PCM
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直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
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只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
A:对
B:错
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凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )
A:对
B:错
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运放的输入失调电流是两端电流之差。( )
A:对
B:错
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互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
A:对
B:错
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直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( )
A:对
B:错
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可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )
A:对
B:错
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
A:对
B:错
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电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( )
A:对
B:错
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运放的输入失调电压是两输入端电位之差。( )
A:对
B:错
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只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
A:对
B:错
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