电子科技大学《电磁场与波》期末考试

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电子科技大学《电磁场与波》20春期末考试

在两种媒质的分界面上，若分界面上存在传导电流，则边界条件为( )。
A:Ht不连续，Bn不连续
B:Ht不连续，Bn连续
C:Ht连续，Bn不连续
D:Ht连续，Bn连续
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根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是 （ ）
A:若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷
B:若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内电荷的代数和一定等于零
C:若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零，曲面内一定有极化电荷
D:介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷的分布有关
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用镜像法求解电场边值问题时，判断镜像电荷的选取是否正确的根据是（ ）
A:镜像电荷是否对称
B:电位所满足的方程是否改变
C:边界条件是否保持不变
D:同时选择B和C
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相同尺寸和匝数的空心线圈的电感系数( )铁心线圈的电感系数。
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定于
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一个半径为0.4m的导体球当做接地电极深埋地下，设土壤的电导率为0.6S/m，略去地面的影响，求电极与地之间的电阻（ ）
A:0.3316
B:0.3421
C:0.2344
D:0.2145
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无限大的导体平面上空平行放置一根半径为a的圆柱导线。已知圆柱导线的轴线离开平面的距离为h，则单位长度圆柱导线与导体平面之间的电容为（ ）
A:2/arcosh（h/a）
B:4/arcosh（h/a）
C:2/arsinh（h/a）
D:4/arsinh（h/a）
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一导体回路位于与磁场力线垂直的平面内，欲使回路中产生感应电动势，应使（ ）。
A:回路运动
B:磁场随时间变化
C:磁场分布不均匀
D:同时选择A和B
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若空间存在两根无限长直载流导线，空间的磁场分布就不具有简单的对称性，则该磁场分布（ ）
A:不能用安培环路定理来计算
B:可以直接用安培环路定理求出
C:可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出
D:以上都不正确
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有一无限长直流导线在空间产生磁场，在此磁场中作一个以截流导线为轴线的同轴的圆柱形闭合高斯面，则通过此闭合面的磁感应通量（ ）
A:等于零
B:不一定等于零
C:为0I
D:以上都不正确
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当孤立的不带电的导体球位于均匀电场E0中，使用镜像法求出导体球表面的电荷分布为（ ）
A:40E0cos
B:40E0sin
C:30E0cos
D:30E0sin
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空间某点的磁感应强度B的方向，一般可以用下列几种办法来判断，其中哪个是错误的？ （ ）
A:小磁针北（N）极在该点的指向；
B:运动正电荷在该点所受最大的力与其速度的矢积的方向；
C:电流元在该点不受力的方向；
D:载流线圈稳定平衡时，磁矩在该点的指向。
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磁场的高斯定理说明了下面的哪些叙述是正确的（ ）
a 穿入闭合曲面的磁感应线条数必然等于穿出的磁感应线条数；
b 穿入闭合曲面的磁感应线条数不等于穿出的磁感应线条数；
c 一根磁感应线可以终止在闭合曲面内；
d 一根磁感应线可以完全处于闭合曲面内。
A:ad
B:ac
C:cd
D:ab。
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就有极分子电介质和无极分子电介质的极化现象而论（ ）
A:两类电介质极化的微观过程不同，宏观结果也不同
B:两类电介质极化的微观过程相同，宏观结果也相同
C:两类电介质极化的微观过程相同，宏观结果不同
D:两类电介质极化的微观过程不同，宏观结果相同
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关于位移电流，下列四种说法正确的是（ ）
A:位移电流是由变化电场产生的
B:位移电流是由线性变化磁场产生的
C:位移电流的热效应应服从焦耳-楞次定律
D:位移电流的磁效应应不服从安培环路定理
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将一个带正电的带电体A从远处移到一个不带电的导体B附近，导体B的电势将（ ）
A:升高
B:降低
C:不会发生变化
D:无法确定
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半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，线圈电阻为R，当把线圈转动使其方向与B的夹角=60时，线圈中已通过的电量与线圈面积及转动的时间的关系是（ ）
A:与线圈面积成正比，与时间无关
B:与线圈面积成正比，与时间正比
C:与线圈面积成反比，与时间正比
D:与线圈面积成反比，与时间无关
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下列关于磁感应线的描述，哪个是正确的（ ）
A:条形磁铁的磁感应线是从N极到S极的；
B:条形磁铁的磁感应线是从S极到N极的；
C:磁感应线是从N极出发终止于S极的曲线；
D:磁感应线是无头无尾的闭合曲线。
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已知圆环式螺线管的自感系数为L，若将该螺线管锯成两个半环式的螺线管，则两个半环螺线管的自感系数（ ）
A:都等于1/2L
B:有一个大于1/2L，另一个小于1/2L
C:都大于1/2L
D:都小于1/2L
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下列说法正确的是（ ）
A:场强相等的区域，电势也处处相等
B:场强为零处，电势也一定为零
C:电势为零处，场强也一定为零
D:场强大处，电势不一定高
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位移电流与传导电流一样（ ）
A:都是由载流子的定向移动产生的
B:都可以激发磁场
C:都可以用电流表测量其大小
D:都一样产生热效应
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一平行板电容器充电后与电源断开，再将两极板拉开，则电容器上的（ ）
A:电荷增加
B:电荷减少
C:电容增加
D:电压增加
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在边界形状完全相同的两个区域内的静电场，满足相同的边界条件，则两个区域中的场分布（ ）。
A:一定相同
B:一定不相同
C:不能断定相同或不相同
D:以上都不正确
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将一个带正电的带电体A从远处移到一个不带电的导体B附近，导体B的电势将（ ）
A:升高
B:降低
C:不会发生变化
D:以上都不正确
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导体电容的大小( )。
A:与导体的电势有关
B:与导体所带电荷有关
C:与导体的电势无关
D:与导体间电位差有关
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静电场边值问题的求解，可归结为在给定边界条件下，对拉普拉斯方程的求解，若边界形状为圆柱体，则宜适用( )。
A:直角坐标中的分离变量法
B:圆柱坐标中的分离变量法
C:球坐标中的分离变量法
D:有限差分法
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一运动电荷q，质量为m，进入均匀磁场中（ ）
A:其动能改变，动量不变
B:其动能和动量都改变
C:其动能不变，动量改变
D:其动能，动量都不变
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电荷只能在分子或原子范围内作微小位移的物质称为( )。
A:导体
B:固体
C:液体
D:电介质
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下列说法正确的是（ ）
A:闭合曲面上各点电场强度都为零时，曲面内一定没有电荷
B:闭合曲面上各点电场强度都为零时，曲面内电荷的代数和必定为零
C:闭合曲面的电通量为零时，曲面上各点的电场强度必定为零。
D:闭合曲面的电通量不为零时，曲面上任意一点的电场强度都不可能为零
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相同的场源条件下，真空中的电场强度是电介质中的( )倍。
A:0r
B:1/0r
C:r
D:1/r
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下面关于电导率的说法正确的是（ ）
A:在理想导电体中可能存在恒定电场
B:电导率为零的介质，具有微弱的导电能力
C:电导率为无限大的导体称为理想导电体
D:以上都不正确
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标量场的梯度运算和矢量场的旋度运算都是矢量。（ ）
A:对
B:错
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一般说来，电场和磁场是共存于同一空间的，但在静止和恒定的情况下，电场和磁场可以独立进行分析。（ ）
A:对
B:错
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描绘物理状态空间分布的标量函数和矢量函数，在时间为一定值的情况下，它们是唯一的。（ ）
A:对奥鹏电子科技大学平时在线作业
B:错
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梯度的方向是等值面的切线方向。（ ）
A:对
B:错
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静电场是有源无旋场，恒定磁场是有旋无源场。（ ）
A:对
B:错
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点电荷仅仅指直径非常小的带电体。（ ）
A:对
B:错
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趋肤深度是电磁波进入导体后能量衰减为零所能够达到的深度。（ ）
A:对
B:错
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对于静电场问题，仅满足给定的泊松方程和边界条件，而形式上不同的两个解是不等价的。（ ）
A:对
B:错
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静电场的电场力只能通过库仑定律进行计算。（ ）
A:对
B:错
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圆形载流线圈在远处一点的磁场相当于一个磁偶极子的磁场。（ ）
A:对
B:错
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