奥鹏教育云南开放大学第3形考作业10（客观）

奥鹏云南开放大学平时在线作业

20春第3学期形考作业10（客观）

光敏元件中（）是直接输出电压的.
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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压电传感器的等效电路，（）。
A:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源，也可等效为电荷源
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（ ）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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光电管和光电倍增管的特性主要取决于（ ）
A:阴极材料
B:阳极材料
C:玻璃壳材料
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在光线作用下，半导体电导率增加的现象属于（ ）
A:外光电效应
B:内光电效应
C:光生伏打效应
D:光电发射
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为（）。
A:
B:
C:
D:
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光电耦合器件由发光元件和光电接收元件组成，（）。
A:可实现电路隔离，不可进行电平转换
B:不可实现电路隔离，可进行电平转换
C:可实现电路隔离，可进行电平转换
D:不可实现电路隔离，不可进行电平转换
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影响压电式加速度传感器低频响应能力的是（ ）
A:电缆的安装与固定方式
B:电缆的长度
C:前置放大器的输出阻抗
D:前置放大器的输入阻抗
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对压电晶片沿X轴施加力，而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象为______，计算公式为______。填入前两个空的是（ ）。
A:横向压电效应，
B:纵向压电效应，
C:横向压电效应，
D:纵向压电效应，
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不属于气敏传感器类型的是（）
A:接触燃烧式
B:金属氧化物半导体
C:氧化锆
D:氯化锂
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固体半导体摄像元件CCD是一种（）
A:PN结光电二极管电路
B:PNP型晶体管集成电路
C:MOS型晶体管开关集成电路
D:NPN型晶体管集成电路
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电涡流在金属导体中的形成范围为（ ）
A:传感器线圈外径附近
B:传感器线圈内径附近
C:表面
D:表面且传感器线圈外径附近
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材料电阻率，电子迁移率为，控制电流为I和磁场强度为B，霍尔片厚度为d，则霍尔电势与这几个参数间关系为( )。
A:
B:
C:
D:
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热电偶中的电动势主要是由（ ）组成
A:感应电动势
B:温差电动势
C:接触电动势
D:切割电动势
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单色光的波长越短，它的（）
A:频率越高，其光子能量越大
B:频率越低，其光子能量越大
C:频率越高，其光子能量越小
D:频率越低，其光子能量越小
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电阻应变传感器桥式测量电路半桥时测量灵敏度为（ ）
A:
B:
C:
D:E
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对湿度传感器类型描述不正确的是（ ）。
A:电解质型：氯化锂极易潮解，并产生离子导电，随湿度升高而电阻减小。
B:陶瓷型：都是负特性湿度传感器。
C:高分子型：分为电容式、电阻式、结露式湿度传感器
D:单晶半导体型：所用材料主要是硅单晶，利用半导体工艺制成。
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:电流表的示数增大
D:小灯泡的亮度变弱
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测量范围大的电容式位移传感器的类型为（）
A:变极板面积型
B:变极距型
C:变介质型
D:容栅型
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属于传感器动态特性指标的是（）
A:重复性
B:线性度
C:灵敏度
D:固有频率
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光敏二极管在电路中一般是处于（）工作状态
A:正向
B:截至
C:反向
D:导通
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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下面不属于不等位电势U0产生原因的是（）。
A:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；
B:半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀；
C:元件由金属或绝缘体构成；
D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。
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传感器测量系统的目的是（ ）。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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下列电容式传感器中,输出特性属于非线性的是（ ）
A:变间隙型电容式传感器
B:变面积式电容传感器
C:变介电常数式电容传感器
D:上述都不是
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为（）。
A:
B:
C:
D:
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利用热电偶测温时，只有在（ ）条件下才能进行.
A:分别保持热电偶两奥鹏云南开放大学平时在线作业端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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变面积式（如右图）自感传感器输出特性为（ ）。
A:
B:
C:
D:
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（）是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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光敏二极管接入反向偏压的电路中，能把光信号转换成电信号，在其敏感的光谱范围内，光的照度越大，光电流（ ）。
A:越大
B:越小
C:不变
D:变化方向不确定
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红外辐射的基本特点描述错误的是（）。
A:红外辐射俗称红外线，它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样，是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时，有三个波段透过率低，是2～2.6m、3～5 m和8～14 m。
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当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受到一维应力作用时，应变片灵敏度系数K的定义是（ ）
A:应变片电阻变化率与试件主应力之比。
B:应变片电阻与试件主应力方向的应变之比。
C:应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比。
D:应变片电阻变化率与试件作用力之比。
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电感式传感器采用变压器式交流电桥作为测量电路时，如想分辨出衔铁位移的方向，则应在电路中加（）电路。
A:加法器
B:检波
C:相敏检波
D:鉴频
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如图所示为一测定液面高低的传感器示意图，A为固定的导体芯，B为导体芯外面的一层绝缘物质，C为导电液体，把传感器接到图示电路中，已知灵敏电流表指针偏转方向与电流方向相同。如果发现指针正向右偏转，则导电液体的深度h变化为（）
A:h正在增大
B:h正在减小
C:h不变
D:无法确定
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压电传感器的等效电路，（ ）。
A:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源，也可等效为电荷源
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应变式传感器用电桥做转换电路，理论上电桥输出带有非线性误差的是 （ ）
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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热电偶可以测量（ ）。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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如图所示为小型电磁继电器的构造示意图，其中L为含铁芯的线圈．P为可经O点转动的铁片，K为弹簧，S为一对触头，A、B、C、D为四个接线柱．电磁继电器与传感器配合，可完成自动控制的要求．其工作方式是（）
A:A与B接信号电压，C与D可跟被控电路串联
B:A与B接信号电压，C与D可跟被控电路并联
C:C与D接信号电压，A与B可跟被控电路串联
D:C与D接信号电压，A与B可跟被控电路并联
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在热电偶测温回路中经常使用补偿导线的最主要的目的是()。
A:补偿热电偶冷端热电势的损失
B:起冷端温度补偿作用
C:将热电偶冷端延长到远离高温区的地方
D:提高灵敏度
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:霍尔常数成正比
B:霍尔常数成反比
C:霍尔元件的厚度成正比
D:霍尔元件的厚度成反比
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:激励电流成正比
B:激励电流成反比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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差动变压器传感器的配用测量电路主要有 （ ）。
A:差动相敏检波电路
B:差动整流电路
C:直流电桥
D:差动电桥
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通常用差动变压器传感器测量（ ）。
A:位移
B:振动
C:加速度
D:厚度
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电容式传感器是用来将各种非电信号转变为电信号的装置．由于电容器的电容C取决于极板正对面积S、极板间距离d以及极板间的电介质这几个因素，当某一物理量发生变化时就能引起上述某个因素的变化，从而又可推出另一个物理量的值，如图是四种电容式传感器的示意图，关于这四个传感器的作用下列说法正确的是 （）
A:甲图的传感器可以用来测量角度
B:乙图的传感器可以用来测量液面的高度
C:丙图的传感器可以用来测量压力
D:丁图的传感器可以用来测量速度
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热敏电阻按其对温度的不同反应可分为三类##、##、##
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电阻应变传感器桥式测量电路半桥时测量灵敏度为##
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在用带孔圆盘所做的光电扭矩测量仪中，利用孔的透光面积表示扭矩大小，透光面积减小，则表明扭矩##。
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N轧线圈，线圈总磁阻为，则线圈中电感值为##。
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电阻应变片的测量电路采用差动电桥时，不仅可以消除##，同时还能起到##的作用。
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