奥鹏教育云南开放大学第3形考作业12(客观)
奥鹏云南开放大学平时在线作业
20春第3学期形考作业12(客观)
压电传感器的等效电路,( )。
A:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源,也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源,也可等效为电荷源
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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变面积式(如右图)自感传感器输出特性为( )。
A:
B:
C:
D:
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光敏二极管接入反向偏压的电路中,能把光信号转换成电信号,在其敏感的光谱范围内,光的照度越大,光电流( )。
A:越大
B:越小
C:不变
D:变化方向不确定
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是( )
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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在以下几种传感器当中( )属于自发电型传感器。
A:电容式
B:电阻式
C:压电式
D:电感式
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下面不属于不等位电势U0产生原因的是()。
A:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;
B:半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀;
C:元件由金属或绝缘体构成;
D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。
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天然石英晶体受到机械轴(Y-Y 轴)方向的作用力时,( )压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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热电偶中的电动势主要是由( )组成
A:感应电动势
B:温差电动势
C:接触电动势
D:切割电动势
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一个热电偶产生的热电势为,当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时,若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同,则回路中热电势( )
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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对湿度传感器类型描述不正确的是( )。
A:电解质型:氯化锂极易潮解,并产生离子导电,随湿度升高而电阻减小。
B:陶瓷型:都是负特性湿度传感器。
C:高分子型:分为电容式、电阻式、结露式湿度传感器
D:单晶半导体型:所用材料主要是硅单晶,利用半导体工艺制成。
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传感器测量系统的目的是( )。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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如图所示为小型电磁继电器的构造示意图,其中L为含铁芯的线圈.P为可经O点转动的铁片,K为弹簧,S为一对触头,A、B、C、D为四个接线柱.电磁继电器与传感器配合,可完成自动控制的要求.其工作方式是()
A:A与B接信号电压,C与D可跟被控电路串联
B:A与B接信号电压,C与D可跟被控电路并联
C:C与D接信号电压,A与B可跟被控电路串联
D:C与D接信号电压,A与B可跟被控电路并联
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为了减小非线性误差,采用差动变隙式电感传感器,其灵敏度和单线圈式传感器相比,( )。
A:降低二倍
B:降低一倍
C:提高二倍
D:提高一倍
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为()。
A:
B:
C:
D:
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是( )
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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对压电晶片沿X轴施加力,而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象为______,计算公式为______。填入前两个空的是( )。
A:横向压电效应,
B:纵向压电效应,
C:横向压电效应,
D:纵向压电效应,
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传感器一般由( )组成。
A:敏感元件和信号调理
B:敏感元件和转换元件
C:转换元件和信号调理
D:电源电路和信号调理
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演示位移传感器的工作原理如图所示,物体M在导轨上平移时,带动滑动变阻器的金属滑杆P,通过电压表显示的数据,来反映物体位移的大小x,假设电压表是理想的,则下列说法正确的是()
A:物体M运动时,电源内的电流会发生变化
B:物体M运动时,电压表的示数会发生变化
C:物体M不动时,电路中没有电流
D:物体M不动时,电压表没有示数
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不属于气敏传感器类型的是()
A:接触燃烧式
B:金属氧化物半导体
C:氧化锆
D:氯化锂
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在光线作用下,半导体电导率增加的现象属于( )
A:外光电效应
B:内光电效应
C:光生伏打效应
D:光电发射
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光敏二极管工作时,其上( ).
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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天然石英晶体受到机械轴(Y-Y 轴)方向的作用力时,( )压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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单色光的波长越短,它的()
A:频率越高,其光子能量越大
B:频率越低,其光子能量越大
C:频率越高,其光子能量越小
D:频率越低,其光子能量越小
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光电耦合器件由发光元件和光电接收元件组成,()。
A:可实现电路隔离,不可进行电平转换
B:不可实现电路隔离,可进行电平转换
C:可实现电路隔离,可进行电平转换
D:不可实现电路隔离,不可进行电平转换
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光敏元件中( )是直接输出电压的
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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用电容式传感器测量固体或液体物位时,应该选用( )
A:变间隙式
B:变面积式
C:变介电常数式
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有关热电偶特性的说明错误的是()。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后,热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关;也与热电偶的长度、粗细有关。
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电阻应变片配用的测量电路中,为了克服分布电容的影响,多采用( )。
A:直流平衡电桥
B:直流不平衡电桥
C:交流平衡电桥
D:交流不平衡电桥
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有关热电偶的几点结论错误的是( )。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后,热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关;与热电偶的长度、粗细有关。
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对同一被测量进行多次重复测量时,绝对值和符号不可预知地随机变化,但总体上误差服从一定的统计规律,这种误差称为()。
A:相对误差
B:随机误差
C:绝对误差
D:系统误差
答案问询微信:42432奥鹏云南开放大学平时在线作业9
对热电偶传感器,形成热电势的必要条件是: ( )
A:两种导体材料不同;节点所处的温度不同
B:两种导体材料相同;节点所处的温度不同
C:两种导体材料不同;节点所处的温度相同
D:两种导体材料相同;节点所处的温度相同
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应变式传感器用电桥做转换电路,理论上电桥输出带有非线性误差的是 ( )
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受到一维应力作用时,应变片灵敏度系数K的定义是( )
A:应变片电阻变化率与试件主应力之比。
B:应变片电阻与试件主应力方向的应变之比。
C:应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比。
D:应变片电阻变化率与试件作用力之比。
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光电管和光电倍增管的特性主要取决于( )
A:阴极材料
B:阳极材料
C:玻璃壳材料
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光敏二极管工作时,其上()
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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如图所示,R 1为定值电阻,R 2为负温度系数的热敏电阻(负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻),L为小灯泡,当温度降低时()
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:电流表的示数增大
D:小灯泡的亮度变弱
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红外辐射的基本特点描述错误的是()。
A:红外辐射俗称红外线,它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样,是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时,有三个波段透过率低,是2~2.6m、3~5 m和8~14 m。
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()是表征光纤集光本领的一个重要参数,即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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对红外辐射的基本特点描述错误的是()。
A:红外辐射俗称红外线,它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样,是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时,有三个波段透过率低,是2~2.6m、3~5m和8~14m。
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电容式传感器是用来将各种非电信号转变为电信号的装置.由于电容器的电容C取决于极板正对面积S、极板间距离d以及极板间的电介质这几个因素,当某一物理量发生变化时就能引起上述某个因素的变化,从而又可推出另一个物理量的值,如图是四种电容式传感器的示意图,关于这四个传感器的作用下列说法正确的是 ()
A:甲图的传感器可以用来测量角度
B:乙图的传感器可以用来测量液面的高度
C:丙图的传感器可以用来测量压力
D:丁图的传感器可以用来测量速度
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霍尔效应中,霍尔电势与()
A:霍尔常数成正比
B:霍尔常数成反比
C:霍尔元件的厚度成正比
D:霍尔元件的厚度成反比
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如图所示是利用硫化镉制成的光敏电阻自动计数的示意图,其中A是发光仪器,S是光敏电阻(光照时电阻会变小),下列说法中正确的是()
A:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变小,电压表读数变小
B:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变大,电压表读数变大
C:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变小,电压表读数变小
D:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变大,电压表读数变大
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,()
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,( )
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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磁敏二极管工作时加##电压。由于它的磁灵敏很高,特别适用于测量##。
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内光电效应器件包括##、##和光敏二极管、光敏三极管。
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超声波的波型分为##和##和表面波三种。
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当被测参数A、 d或发生变化时, 电容量C也随之变化,因此,电容式传感器可分为##、##和##三种。
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变面积型电容传感器分为##型、##、##型三种结构。
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