奥鹏教育云南开放大学第3形考作业13（客观）

奥鹏云南开放大学平时在线作业

20春第3学期形考作业13（客观）

电阻应变片的初始电阻数值有多种,其中用的最多的是（）。
A:60
B:120
C:200
D:350
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光敏元件中（）是直接输出电压的.
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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一应变片，所受应变为1000，若取Ks=3，n=1，非线性误差为（）。
A:0.15%
B:15%
C:0.3%
D:1%
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在以下几种传感器当中( )属于自发电型传感器。
A:电容式
B:电阻式
C:压电式
D:电感式
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压电晶片的连接方式中串联接法（）
A:输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大，本身电容大，时间常数大
C:输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小，本身电容小，时间常数大
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利用热电偶测温时，只有在（）条件下才能进行.
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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光敏二极管在电路中一般是处于（）工作状态
A:正向
B:截至
C:反向
D:导通
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系，传感器可分为（）传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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单色光的波长越短，它的（）
A:频率越高，其光子能量越大
B:频率越低，其光子能量越大
C:频率越高，其光子能量越小
D:频率越低，其光子能量越小
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光敏三极管工作时（）。
A:基极开路、集电结反偏、发射结正偏
B:基极开路、集电结正偏、发射结反偏
C:基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏
D:基极接电信号、集电结反偏、发射结正偏
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电涡流式传感器激磁线圈的电源是（）。
A:直流
B:工频交流
C:高频交流
D:低频交流
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电涡流在金属导体中的形成范围为（）
A:传感器线圈外径附近
B:传感器线圈内径附近
C:表面
D:表面且传感器线圈外径附近
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热电偶中的电动势主要是由（）组成
A:感应电动势
B:温差电动势
C:接触电动势
D:切割电动势
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有关热电偶特性的说明错误的是（）。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后，热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关；也与热电偶的长度、粗细有关。
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电感式传感器采用变压器式交流电桥作为测量电路时，如想分辨出衔铁位移的方向，则应在电路中加（）电路。
A:加法器
B:检波
C:相敏检波
D:鉴频
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压电式传感器目前多用于测量（）。
A:静态的力或压力
B:动态的力或压力
C:温度
D:速度
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光敏电阻适于作为（）。
A:光的测量元件
B:光电导开关元件
C:加热元件
D:发光元件
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（）是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受到一维应力作用时，应变片灵敏度系数K的定义是（）
A:应变片电阻变化率与试件主应力之比。
B:应变片电阻与试件主应力方向的应变之比。
C:应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比。
D:应变片电阻变化率与试件作用力之比。
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传感器测量系统的目的是（）。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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下列金属应变片中具有较明显的横向效应的是（）.
A:箔式应变片
B:半导体应变片
C:丝绕式应变片
D:短接式应变片
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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压电传感器的等效电路，（）。
A:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源，也可等效为电荷源
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一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（）.
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）.
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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材料电阻率，电子迁移率为，控制电流为I和磁场强度为B，霍尔片厚度为d，则霍尔电势与这几个参数间关系为( )。
A:
B:
C:
D:
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为（）。
A:
B:
C:
D:
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如图所示为小型电磁继电器的构造示意图，其中L为含铁芯的线圈．P为可经O点转动的铁片，K为弹簧，S为一对触头，A、B、C、D为四个接线柱．电磁继电器与传感器配合，可完成自动控制的要求．其工作方式是（）
A:A与B接信号电压，C与D可跟被控电路串联
B:A与B接信号电压，C与D可跟被控电路并联
C:C与D接信号电压，A与B可跟被控电路串联
D:C与D接信号电压，A与B可跟被控电路并联
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属于传感器动态特性指标的是（）
A:重复性
B:线性度
C:灵敏度
D:固有频率
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热电偶可以测量（）。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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为了减小非线性误差，采用差动变隙式电感传感器，其灵敏度和单线圈式传感器相比，( )。
A:降低二倍
B:降低一倍
C:提高二倍
D:提高一倍
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:电流表的示数增大
D:小灯泡的亮度变弱
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利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小（）
A:两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片
B:两个桥臂都应当用两个工作应变片串联
C:两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片
D:两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:激励电流成正比
B:激励电流成反比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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电容式传感器是用来将各种非电信号转变为电信号的装置．由于电容器的电容C取决于极板正对面积S、极板间距离d以及极板间的电介质这几个因素，当某一物理量发生变化时就能引起上述某个因素的变化，从而又可推出另一个物理量的值，如图是四种电容式传感器的示意图，关于这四个传感器的作用下列说法正确的是（）
A:甲图的传感器可以用来测量角度
B:乙图的传感器可以用来测量液面的高度
C:丙图的传感器可以用来测量压力
D:丁图的传感器可以用来测量速度
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:激励电流成正比
B:激励电流成正比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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通常用差动变压器传感器测量（）。
A:位移
B:振动
C:加速度
D:厚度
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差动变压器传感器的配用测量电路主要有（）。
A:差动相敏检波电路
B:差动整流电路
C:直流电桥
D:差动电桥
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传感器的输入输出特性指标可分为##和##指标两大类，线性度和灵敏度是传感器的##指标，而频率响应特性是传感器的##指标。
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光电管和光电倍增管属于##效应器件包括
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根据电容式传感器的工作原理，电容式传感器有##、##、##三种基本类型
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湿敏电阻是一种##随环境##变化而变化的敏感元件。
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旋转式编码器可以测量转轴的角位移，其中##在任意位置都有固定的数字编码与位置对应，线数为360线的增量式编码器分辨力为##（角）度。
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