云南开放大学第3形考作业2(客观)9
奥鹏云南开放大学平时在线作业
20春第3学期形考作业2(客观)
应变式传感器用电桥做转换电路,理论上电桥输出带有非线性误差的是 ( )
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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压电晶片的连接方式中串联接法( )
A:输出电压大,本身电容小,适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大,本身电容大, 时间常数大
C:输出电压小,本身电容大,适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小,本身电容小, 时间常数大
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对压电晶片沿X轴施加力,而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象为______,计算公式为______。填入前两个空的是( )。
A:横向压电效应,
B:纵向压电效应,
C:横向压电效应,
D:纵向压电效应,
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光敏元件中( )是直接输出电压的
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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传感器测量系统的目的是( )。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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天然石英晶体受到机械轴(Y-Y 轴)方向的作用力时,( )压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系,传感器可分为( )传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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()是表征光纤集光本领的一个重要参数,即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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下面不属于不等位电势U0产生原因的是()。
A:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;
B:半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀;
C:元件由金属或绝缘体构成;
D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。
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热电偶中的电动势主要是由( )组成
A:感应电动势
B:温差电动势
C:接触电动势
D:切割电动势
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光电耦合器件由发光元件和光电接收元件组成,()。
A:可实现电路隔离,不可进行电平转换
B:不可实现电路隔离,可进行电平转换
C:可实现电路隔离,可进行电平转换
D:不可实现电路隔离,不可进行电平转换
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一个热电偶产生的热电势为,当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时,若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同,则回路中热电势( )
A:奥鹏云南开放大学平时在线作业增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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光敏元件中()是直接输出电压的.
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受到一维应力作用时,应变片灵敏度系数K的定义是( )
A:应变片电阻变化率与试件主应力之比。
B:应变片电阻与试件主应力方向的应变之比。
C:应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比。
D:应变片电阻变化率与试件作用力之比。
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电感式传感器采用变压器式交流电桥作为测量电路时,如想分辨出衔铁位移的方向,则应在电路中加()电路。
A:加法器
B:检波
C:相敏检波
D:鉴频
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对湿度传感器类型描述不正确的是( )。
A:电解质型:氯化锂极易潮解,并产生离子导电,随湿度升高而电阻减小。
B:陶瓷型:都是负特性湿度传感器。
C:高分子型:分为电容式、电阻式、结露式湿度传感器
D:单晶半导体型:所用材料主要是硅单晶,利用半导体工艺制成。
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传感器测量系统的目的是()。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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热电偶可以测量( )。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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下列金属应变片中具有较明显的横向效应的是( ).
A:箔式应变片
B:半导体应变片
C:丝绕式应变片
D:短接式应变片
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变面积式(如右图)自感传感器输出特性为()。
A:
B:
C:
D:
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压电晶片的连接方式中串联接法()
A:输出电压大,本身电容小,适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大,本身电容大,时间常数大
C:输出电压小,本身电容大,适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小,本身电容小,时间常数大
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光敏二极管工作时,其上()
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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()是表征光纤集光本领的一个重要参数,即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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热电偶可以测量( )。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是( )
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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传感器一般由( )组成。
A:敏感元件和信号调理
B:敏感元件和转换元件
C:转换元件和信号调理
D:电源电路和信号调理
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为()。
A:
B:
C:
D:
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压电传感器的等效电路,()。
A:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源,也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源,也可等效为电荷源
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若两个应变量变化完全相同的应变片接入测量电桥的相对桥臂,则电桥的输出将( )。
A:增大
B:减小
C:不变
D:可能增大,也可能减小
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在光线作用下,半导体电导率增加的现象属于( )
A:外光电效应
B:内光电效应
C:光生伏打效应
D:光电发射
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对红外辐射的基本特点描述错误的是()。
A:红外辐射俗称红外线,它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样,是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时,有三个波段透过率低,是2~2.6m、3~5m和8~14m。
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应变式传感器用电桥做转换电路,理论上电桥输出带有非线性误差的是 ( )
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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利用热电偶测温时,只有在( )条件下才能进行.
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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如图所示,R 1为定值电阻,R 2为负温度系数的热敏电阻(负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻),L为小灯泡,当温度降低时( )
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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一应变片,所受应变为1000,若取Ks=3,n=1,非线性误差为()。
A:0.15%
B:15%
C:0.3%
D:1%
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不属于气敏传感器类型的是()
A:接触燃烧式
B:金属氧化物半导体
C:氧化锆
D:氯化锂
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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光敏电阻适于作为()。
A:光的测量元件
B:光电导开关元件
C:加热元件
D:发光元件
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( ).
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,( )
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,()
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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霍尔效应中,霍尔电势与()
A:霍尔常数成正比
B:霍尔常数成反比
C:霍尔元件的厚度成正比
D:霍尔元件的厚度成反比
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霍尔效应中,霍尔电势与()
A:激励电流成正比
B:激励电流成反比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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差动变压器传感器的配用测量电路主要有 ( )。
A:差动相敏检波电路
B:差动整流电路
C:直流电桥
D:差动电桥
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利用热电偶测温时,只有保持##端温度不变的条件下才能进行。
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简述光敏电阻的工作原理。光敏电阻上可以加##电压,也可以加##电压。加上电压后,无光照射时,由于光敏电阻的##,电路中只有##的电流,称为##电流;当有适当波长范围内的光照射时,因其##,电路中电流也就##,称为##电流。根据##的大小,即可推算出入射光的##的大小。
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传感器静态特性指标包括##、##、##及迟滞现象。
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热敏电阻正是利用半导体的##数目随着温度变化而变化的特性制成的##敏感元件。
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热敏电阻的阻值与##之间的关系称热敏电阻的热电特性。它是热敏电阻测温的基础。
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