云南开放大学第3形考作业5(客观)
奥鹏云南开放大学平时在线作业
20春第3学期形考作业5(客观)
当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受到一维应力作用时,应变片灵敏度系数K的定义是( )
A:应变片电阻变化率与试件主应力之比。
B:应变片电阻与试件主应力方向的应变之比。
C:应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比。
D:应变片电阻变化率与试件作用力之比。
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单色光的波长越短,它的()
A:频率越高,其光子能量越大
B:频率越低,其光子能量越大
C:频率越高,其光子能量越小
D:频率越低,其光子能量越小
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压电传感器的等效电路,( )。
A:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源,也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源,也可等效为电荷源
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()是表征光纤集光本领的一个重要参数,即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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有关热电偶的几点结论错误的是( )。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后,热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关;与热电偶的长度、粗细有关。
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光敏二极管工作时,其上()
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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利用热电偶测温时,只有在( )条件下才能进行
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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一应变片,所受应变为1000,若取Ks=3,n=1,非线性误差为()。
A:0.15%
B:15%
C:0.3%
D:1%
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不属于气敏传感器类型的是()
A:接触燃烧式
B:金属氧化物半导体
C:氧化锆
D:氯化锂
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压电传感器的等效电路,()。
A:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源,不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源,也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源,也可等效为电荷源
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自感式传感器分为( )两种。
A:变隙式和变面积式
B:变介质和变面积式
C:变隙式和变介质式
D:变面积式和变极距式
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如图所示,R 1为定值电阻,R 2为负温度系数的热敏电阻(负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻),L为小灯泡,当温度降低时()
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:电流表的示数增大
D:小灯泡的亮度变弱
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下列电容式传感器中,输出特性属于非线性的是( )
A:变间隙型电容式传感器
B:变面积式电容传感器
C:变介电常数式电容传感器
D:上述都不是
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传感器测量系统的目的是( )。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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如图所示,R 1为定值电阻,R 2为负温度系数的热敏电阻(负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻),L为小灯泡,当温度降低时( )
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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应变式传感器用电桥做转换电路,理论上电桥输出带有非线性误差的是 ( )
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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影响压电式加速度传感器低频响应能力的是( )
A:电缆的安装与固定方式
B:电缆的长度
C:前置放大器的输出阻抗
D:前置放大器的输入阻抗
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在以下几种传感器当中( )属于自发电型传感器。
A:电容式
B:电阻式
C:压电式
D:电感式
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()是表征光纤集光本领的一个重要参数,即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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如图所示,R 1为定值电阻,R 2为负温度系数的热敏电阻(负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻),L为小灯泡,当温度降低时( )
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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利用相邻双臂桥检测的应变式传感器,为使其灵敏度高、非线性误差小( )
A:两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片
B:两个桥臂都应当用两个工作应变片串联
C:两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片
D:两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片
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光敏三极管工作时( )。
A:基极开路、集电结反偏、发射结正偏
B:基极开路、集电结正偏、发射结反偏
C:基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏
D:基极接电信号、集电结反偏、发射结正偏
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为()。
A:
B:
C:
D:
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有关热电偶特性的说明错误的是()。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后,热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关;也与热电偶的长度、粗细有关。
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固体半导体摄像元件CCD是一种()
A:PN结光电二极管电路
B:PNP型晶体管集成电路
C:MOS型晶体管开关集成电路
D:NPN型晶体管集成电路
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电阻应变片的初始电阻数值有多种,其中用的最多的是 ( )。
A:60
B:120
C:200
D:350
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对同一被测量进行多次重复测量时,绝对值和符号不可预知地随机变化,但总体上误差服从一定的统计规律,这种误差称为()。
A:相对误差
B:随机误差
C:绝对误差
D:系统误差
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目前,我国生产的铂热电阻,其初始电阻值有( )。
A:30
B:50
C:100
D:40
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变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离d0之间是( )。
A:正比关系
B:反比关系
C:无关系
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光电耦合器件由发光元件和光电接收元件组成,()。
A:可实现电路隔离,不可进行电平转换
B:不可实现电路隔离,可进行电平转换
C:可实现电路隔离,可进行电平转换
D:不可实现电路隔离,不可进行电平转换
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变面积式(如右图)自感传感器输出特性为()。
A:
B:
C:
D:
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下列金属应变片中具有较明显的横向效应的是( ).
A:箔式应变片
B:半导体应变片
C:丝绕式应变片
D:短接式应变片
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演示位移传感器的工作原理如图所示,物体M在导轨上平移时,带动滑动变阻器的金属滑杆P,通过电压表显示的数据,来反映物体位移的大小x,假设电压表是理想的,则下列说法正确的是()
A:物体M奥鹏云南开放大学平时在线作业运动时,电源内的电流会发生变化
B:物体M运动时,电压表的示数会发生变化
C:物体M不动时,电路中没有电流
D:物体M不动时,电压表没有示数
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光敏电阻适于作为()。
A:光的测量元件
B:光电导开关元件
C:加热元件
D:发光元件
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单色光的波长越短,它的( )
A:频率越高,其光子能量越大
B:频率越低,其光子能量越大
C:频率越高,其光子能量越小
D:频率越低,其光子能量越小
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天然石英晶体受到机械轴(Y-Y 轴)方向的作用力时,( )压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是( )
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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变面积式(如右图)自感传感器输出特性为( )。
A:
B:
C:
D:
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压电晶片的连接方式中串联接法( )
A:输出电压大,本身电容小,适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大,本身电容大, 时间常数大
C:输出电压小,本身电容大,适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小,本身电容小, 时间常数大
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系,传感器可分为( )传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,()
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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霍尔效应中,霍尔电势与()
A:霍尔常数成正比
B:霍尔常数成反比
C:霍尔元件的厚度成正比
D:霍尔元件的厚度成反比
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,( )
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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霍尔效应中,霍尔电势与()
A:激励电流成正比
B:激励电流成正比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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通常用差动变压器传感器测量( )。
A:位移
B:振动
C:加速度
D:厚度
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采用热电阻作为测量温度的元件是将##的测量转换为##的测量。
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按热电偶本身结构划分,有##热电偶、铠装热电偶、##热电偶。
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按气体作用于半导体的深度,半导体气敏传感器可分为##控制型和##控制型。
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为解决楼道的照明问题,在楼道内安装一个传感器与控制电灯的电路相接。当楼道内有走动而发出声响时,电灯即被电源接通而发光,这种传感器为##传感器,它输入的是##信号,经传感器转换后,输出的是##信号。
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霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受##作用,发生##的结果。
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