云南开放大学第3形考作业7（客观）

奥鹏云南开放大学平时在线作业

20春第3学期形考作业7（客观）

如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:电流表的示数增大
D:小灯泡的亮度变弱
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固体半导体摄像元件CCD是一种（）
A:PN结光电二极管电路
B:PNP型晶体管集成电路
C:MOS型晶体管开关集成电路
D:NPN型晶体管集成电路
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天然石英晶体受到机械轴（Y-Y 轴）方向的作用力时，（ ）压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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测量范围大的电容式位移传感器的类型为（）
A:变极板面积型
B:变极距型
C:变介质型
D:容栅型
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电涡流在金属导体中的形成范围为（ ）
A:传感器线圈外径附近
B:传感器线圈内径附近
C:表面
D:表面且传感器线圈外径附近
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用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ ）
A:变间隙式
B:变面积式
C:变介电常数式
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（ ）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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在热电偶测温回路中经常使用补偿导线的最主要的目的是()。
A:补偿热电偶冷端热电势的损失
B:起冷端温度补偿作用
C:将热电偶冷端延长到远离高温区的地方
D:提高灵敏度
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（）是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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如图所示为一测定液面高低的传感器示意图，A为固定的导体芯，B为导体芯外面的一层绝缘物质，C为导电液体，把传感器接到图示电路中，已知灵敏电流表指针偏转方向与电流方向相同。如果发现指针正向右偏转，则导电液体的深度h变化为（）
A:h正在增大
B:h正在减小
C:h不变
D:无法确定
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若两个应变量变化完全相同的应变片接入测量电桥的相对桥臂，则电桥的输出将（ ）。
A:增大
B:减小
C:不变
D:可能增大，也可能减小
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为了减小非线性误差，采用差动变隙式电感传感器，其灵敏度和单线圈式传感器相比，( )。
A:降低二倍
B:降低一倍
C:提高二倍
D:提高一倍
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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光敏二极管工作时，其上（ ）.
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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对热电偶传感器，形成热电势的必要条件是： ( )
A:两种导体材料奥鹏云南开放大学平时在线作业不同；节点所处的温度不同
B:两种导体材料相同；节点所处的温度不同
C:两种导体材料不同；节点所处的温度相同
D:两种导体材料相同；节点所处的温度相同
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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压电传感器的等效电路，（ ）。
A:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源，也可等效为电荷源
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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光敏三极管工作时（ ）。
A:基极开路、集电结反偏、发射结正偏
B:基极开路、集电结正偏、发射结反偏
C:基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏
D:基极接电信号、集电结反偏、发射结正偏
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系，传感器可分为（ ）传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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热电偶可以测量（ ）。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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变面积式（如右图）自感传感器输出特性为（ ）。
A:
B:
C:
D:
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演示位移传感器的工作原理如图所示，物体M在导轨上平移时，带动滑动变阻器的金属滑杆P，通过电压表显示的数据，来反映物体位移的大小x，假设电压表是理想的，则下列说法正确的是（）
A:物体M运动时，电源内的电流会发生变化
B:物体M运动时，电压表的示数会发生变化
C:物体M不动时，电路中没有电流
D:物体M不动时，电压表没有示数
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）.
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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（）是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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电阻应变片的初始电阻数值有多种,其中用的最多的是 （ ）。
A:60
B:120
C:200
D:350
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光电管和光电倍增管的特性主要取决于（ ）
A:阴极材料
B:阳极材料
C:玻璃壳材料
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一应变片，所受应变为1000，若取Ks=3，n=1，非线性误差为（）。
A:0.15%
B:15%
C:0.3%
D:1%
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对红外辐射的基本特点描述错误的是（）。
A:红外辐射俗称红外线，它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样，是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时，有三个波段透过率低，是2～2.6m、3～5m和8～14m。
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电阻应变传感器桥式测量电路半桥时测量灵敏度为（ ）
A:
B:
C:
D:E
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单色光的波长越短，它的（）
A:频率越高，其光子能量越大
B:频率越低，其光子能量越大
C:频率越高，其光子能量越小
D:频率越低，其光子能量越小
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电涡流式传感器激磁线圈的电源是 （ ）。
A:直流
B:工频交流
C:高频交流
D:低频交流
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影响压电式加速度传感器低频响应能力的是（ ）
A:电缆的安装与固定方式
B:电缆的长度
C:前置放大器的输出阻抗
D:前置放大器的输入阻抗
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属于传感器动态特性指标的是（）
A:重复性
B:线性度
C:灵敏度
D:固有频率
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光敏二极管在电路中一般是处于（）工作状态
A:正向
B:截至
C:反向
D:导通
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利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小（ ）
A:两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片
B:两个桥臂都应当用两个工作应变片串联
C:两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片
D:两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片
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下面不属于不等位电势U0产生原因的是（）。
A:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；
B:半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀；
C:元件由金属或绝缘体构成；
D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是（ ）
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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电阻应变片配用的测量电路中，为了克服分布电容的影响，多采用（ ）。
A:直流平衡电桥
B:直流不平衡电桥
C:交流平衡电桥
D:交流不平衡电桥
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压电晶片的连接方式中串联接法（ ）
A:输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大，本身电容大， 时间常数大
C:输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小，本身电容小， 时间常数大
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差动变压器传感器的配用测量电路主要有 （ ）。
A:差动相敏检波电路
B:差动整流电路
C:直流电桥
D:差动电桥
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电容式传感器是用来将各种非电信号转变为电信号的装置．由于电容器的电容C取决于极板正对面积S、极板间距离d以及极板间的电介质这几个因素，当某一物理量发生变化时就能引起上述某个因素的变化，从而又可推出另一个物理量的值，如图是四种电容式传感器的示意图，关于这四个传感器的作用下列说法正确的是 （）
A:甲图的传感器可以用来测量角度
B:乙图的传感器可以用来测量液面的高度
C:丙图的传感器可以用来测量压力
D:丁图的传感器可以用来测量速度
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如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时，（ ）
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时，（）
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:霍尔常数成正比
B:霍尔常数成反比
C:霍尔元件的厚度成正比
D:霍尔元件的厚度成反比
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外光电效应器件包括##和##。
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传感器在##行程和##行程期间，输出-输入特性曲线不重合的现象称为迟滞。
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当半导体材料在某一方向承受应力时，它的##发生显著变化的现象称为半导体压阻效应。用这个原理制成的电阻称固态##。
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压电陶瓷是人工制造的多晶体，是由无数细微的电畴组成。电畴具有自己##方向，经过##的压电陶瓷才具有压电效应。
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传感器静态特性的一个重要指标。传感器输出量增量y与引起输出量增量y的相应输入量增量x之比称为传感器的##，是传感器静态特性的一个重要指标。
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