云南开放大学第3形考作业9(客观)

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20春第3学期形考作业9(客观)

在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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热电偶中的电动势主要是由( )组成
A:感应电动势
B:温差电动势
C:接触电动势
D:切割电动势
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属于传感器动态特性指标的是()
A:重复性
B:线性度
C:灵敏度
D:固有频率
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在光线作用下,半导体电导率增加的现象属于( )
A:外光电效应
B:内光电效应
C:光生伏打效应
D:光电发射
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传感器测量系统的目的是()。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受到一维应力作用时,应变片灵敏度系数K的定义是( )
A:应变片电阻变化率与试件主应力之比。
B:应变片电阻与试件主应力方向的应变之比。
C:应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比。
D:应变片电阻变化率与试件作用力之比。
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光敏元件中( )是直接输出电压的
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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利用热电偶测温时,只有在( )条件下才能进行
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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传感器测量系统的目的是( )。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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单色光的波长越短,它的( )
A:频率越高,其光子能量越大
B:频率越低,其光子能量越大
C:频率越高,其光子能量越小
D:频率越低,其光子能量越小
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如图所示为小型电磁继电器的构造示意图,其中L为含铁芯的线圈.P为可经O点转动的铁片,K为弹簧,S为一对触头,A、B、C、D为四个接线柱.电磁继电器与传感器配合,可完成自动控制的要求.其工作方式是()
A:A与B接信号电压,C与D可跟被控电路串联
B:A与B接信号电压,C与D可跟被控电路并联
C:C与D接信号电压,A与B可跟被控电路串联
D:C与D接信号电压,A与B可跟被控电路并联
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电阻应变片配用的测量电路中,为了克服分布电容的影响,多采用( )。
A:直流平衡电桥
B:直流不平衡电桥
C:交流平衡电桥
D:交流不平衡电桥
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压电式传感器目前多用于测量( )。
A:静态的力或压力
B:动态的力或压力
C:温度
D:速度
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天然石英晶体受到机械轴(Y-Y 轴)方向的作用力时,( )压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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一个热电偶产生的热电势为,当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时,若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同,则回路中热电势( )
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为()。
A:
B:
C:
D:
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电感式传感器采用变压器式交流电桥作为测量电路时,如想分辨出衔铁位移的方向,则应在电路中加()电路。
A:加法器
B:检波
C:相敏检波
D:鉴频
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光电管和光电倍增管的特性主要取决于( )
A:阴极材料
B:阳极材料
C:玻璃壳材料
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目前,我国生产的铂热电阻,其初始电阻值有( )。
A:30
B:50
C:100
D:40
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红外辐射的基本特点描述错误的是()。
A:红外辐射俗称红外线,它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样,是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时,有三个波段透过率低,是2~2.6m、3~5 m和8~14 m。
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是( )
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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利用热电偶测温时,只有在( )条件下才能进行.
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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在以下几种传感器当中( )属于自发电型传感器。
A:电容式
B:电阻式
C:压电式
D:电感式
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应变式传感器用电桥做转换电路,理论上电桥输出带有非线性误差的是 ( )
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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变面积式(如右图)自感传感器输出特性为( )。
A:
B:
C:
D:
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系,传感器可分为( )传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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电阻应变片的初始电阻数值有多种,其中用的最多的是 ( )。
A:60
B:120
C:200
D:350
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下列金属应变片中具有较明显的横向效应的是( ).
A:箔式应变片
B:半导体应变片
C:丝绕式应变片
D:短接式应变片
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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()是表征光纤集光本领的一个重要参数,即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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热电偶可以测量( )。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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光敏二极管工作时,其上()
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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电涡流式传感器激磁线圈的电源是 ( )。
A:直流
B:工频交流
C:高频交流
D:低频交流
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变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离d0之间是(   )。
A:正比关系
B:反比关系
C:无关系
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下列电容式传感器中,输出特性属于非线性的是( )
A:变间隙型电容式传感器
B:变面积式电容传感器
C:变介电常数式电容传感器
D:上述都不是
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在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( ).
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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光敏二极管在电路中一般是处于()工作状态
A:正向
B:截至
C:反向
D:导通
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光敏二极管工作时,其上( ).
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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光敏二极管接入反向偏压的电路中,能把光信号转换成电信号,在其敏感的光谱范围内,光的照度越大,光电流( )。
A:越大
B:越小
C:不变
D:变化方向不确定
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变面积式(如右图)自感传感器输出特性为()。
A:
B:
C:
D:
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如图所示是利用硫化镉制成的光敏电阻自动计数的示意图,其中A是发光仪器,S是光敏电阻(光照时电阻会变小),下列说法中正确的是()
A:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变小,电压表读数变小
B:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变大,电压表读数变大
C:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变小,电压表读数变小
D:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时,光敏电阻的阻值变大,电压表读数变大
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,()
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时,( )
A:电压表的示数增大
B:R2中电流减小
C:小灯泡的功率增大
D:电路的路端电压增大
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通常用差动变压器传感器测量( )。
A:位移
B:振动
C:加速度
D:厚度
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霍尔效应中,霍尔电势与()
A:激励电流成正比
B:激励电流成正比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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内光电效应器件包括##、##和光敏二极管、光敏三极管。
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湿敏电阻的工作原理是##在吸收了环境中的水分后,引起两电极间##的变化而工作的。
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利用热电偶测温时,只有保持##端温度不变的条件下才能进行。
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光栅传感器的工作原理:光栅传感器由主光栅、指示光栅和光路系统即光电接收元件组成。主光栅与##连接。指示光栅与主光栅##。当主光栅随被测物体##时,它与固定着的##有相对运动,引起光栅上##的移动,根据莫尔条纹通过某点的##,可以知道被测物体的位移。查看莫尔条纹的##,即可知道被测物体的##。
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按气体作用于半导体的深度,半导体气敏传感器可分为##控制型和##控制型。
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