西安交通大学《模拟电子技术》期末考试必备题集

奥鹏期末考核

32090–西安交通大学《模拟电子技术》奥鹏期末考试题库合集

单选题：
（1）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
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（2）在场效应管放大电路中，测得各极电位分别为UD=6V，US=3V，UG=1V，则该场效应管为 ( )MOS管。
A.N沟道耗尽型
B.P沟道耗尽型
C.P沟道增强型
D.N沟道增强型
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（3）直流负反馈是指（ ）
A.直接耦合放大电路中所引入的负反馈
B.只有放大直流信号时才有的负反馈
C.在直流通路中的负反馈
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（4）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（ ）
A.都使输出电压大于输入电压
B.都使输出电流大于输入电流
C.都使输出功率大于信号源提供的输入功率
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（5）用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U3=7V的那个极是（ ）.
A.发射极
B.基极
C.集电极
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（6）交流负反馈是指（ ）
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B.只有放大交流信号时才有的负反馈
C.在交流通路中的负反馈
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（7）在深度负反馈时，放大器的放大倍数（ ）
A.仅与基本放大器有关
B.仅与反馈网络有关
C.与二者密切相关
D.与二者均无关
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（8）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）
A.差模放大倍数数值增大
B.抑制共模信号能力增强
C.差模输入电阻增大
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（9）本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度
A.大于
B.小于
C.等于
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（10）集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）
A.指标参数准确
B.参数不受温度影响
C.参数一致性好
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（11）硅二极管完全导通后的管压降约为（ ）
A.0.3
B.0.5
C.0.7
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（12）在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。
A.五价
B.四价
C.三价
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（13）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（ ）
A.输入电压幅值不变，改变频率
B.输入电压频率不变，改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化
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（14）直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉
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（15）使用稳压管组成稳压电路时，应使外加电源的正极接管子的（ ），电源的负极接（ ），以保证稳压管工作在反向击穿区，稳压管应与负载电阻（），由于稳压管两端电压变化量很小，使输出电压比较稳定。
A.N区 P区 串联
B.N区 P区 并联
C.P区 N区 串联
D.P区 N区 并联
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（16）LC振荡器的震荡频率取决于（ ）
A.反馈元件的参数
B.正反馈的强度
C.三极管的放大系数
D.选频网络的参数
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（17）乙类互补推挽功率放大电路中的最大输出电压为 。
A.A
B.B
C.C
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（18）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）
A.共射放大电路
B.共集放大电路
C.共基放大电路
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（19）放大电路产生零点漂移的主要原因是（ ）。
A.采用了直接耦合方式
B.晶体管的电流放大倍数太大
C.电路的电压放大倍数太大
D.环境温度变化引起了电路参数变化
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（20）理想二极管电路如题1.1图所示，则UAB为（ ）。
A.-12V
B.15V
C.3V
D.0V
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（21）电容滤波适用于（ ）场合；而电感滤波适用于（ ）场合。（ ）
A.小电流，小电流
B.大电流，大电流
C.大电流，小电流
D.小电流，大电流
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（22）稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于截止状态。（ ）
A.正偏，大于
B.反偏，大于
C.正偏，小于
D.反偏，小于
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（23）判断反馈类型时，可以用（ ）判别串联、并联反馈。
A.输出端短路法
B.瞬时极性法
C.输入端短路法
D.输出端断路法
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（24）单相整流电路中，二极管承受的反向电压最大值出现在二极管（ ）
A.截止时
B.导通时
C.由导通转截止时
D.由截止转导通时
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（25）对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ ）。
A.三极管可以用较小的电流控制较大的电流
B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压
D.三极管可以把小能量放大成大能量
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（26）共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。
A.放大差模抑制共模
B.输入电阻高
C.输出电阻低
D.所能带负载
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（27）PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
A.变窄
B.基本不变
C.变宽
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（28）温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ）
A.升高
B.降低
C.不变
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（29）为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
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（30）某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，电路形式应选( )。
A.电流串联负反馈
B.电流并联负反馈
C.电压串联负反馈
D.电压并联负反馈
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（31）与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是( )。
A.不用输出变压器
B.不用输出端大电容
C.效率高
D.无交越失真
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（32）杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（ ）。
A.N型半导体
B.P型半导体
C.电子型半导体
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（33）锗二极管的死区电压约为（ ）
A.0.3
B.0.2
C.0.1
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（34）稳压管的稳压区是其工作在（ ）
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
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（35）某电路有用信号频率为2 kHz， 可选用( )。
A.低通滤波器
B.高通滤波器
C.带通滤波器
D.带阻滤波器
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（36）RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A.基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
D.同相比例运算电路
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（37）同相比例运算电路和反相比例运算电路的输入电阻的情况为（ ）。
A.前者输入电阻大，后者输入电阻小
B.前者输入电阻小，后者输入电阻大
C.两种情况下输入电阻都大
D.两种情况下输入电阻都小
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（38）、乙类推挽功率放大器的理想最大效率为（ ）。
A.58.5%
B.68.5%
C.78.5%
D.100%
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（39）振荡器的输出信号最初是由（ ）而来的。
A.基本放大器
B.选频网络
C.干扰或噪声信号
D.人为加入的
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（40）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ ）。
A.基准电压
B.采样电压
C.基准电压与采样电压之差
D.直流电压
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（41）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
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（42）放大器在输入信号作用下的工作状态，称为（ ）。
A.静态
B.动态
C.稳压
D.平衡
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（43）甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( )。
A.输出功率大
B.效率高
C.交越失真小
D.电路结构简单
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（44）一个单管共射放大电路如果通过电阻网络引入负反馈，那么它 。
A.一定会产生高频自激振荡
B.有可能会产生高频自激振荡
C.一定不会产生高频自激振荡
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（45）三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与 （ ）对应。
A.输入电压
B.基极电压
C.基极电流
D.输出电压
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（46）若输入电压保持不变，当不等于零，则 电路的输出电压等于零。
A.减法
B.积分
C.微分
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（47）整流电路输出的电压应该为（ ）
A.平直直流电压
B.交流电压
C.脉动直流电压
D.稳恒直流电压
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（48）在放大电路的三种工作状态中，哪种功耗最小（ ）。
A.甲类
B.甲乙类
C.乙类
D.一样大
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（49）
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.抑制零漂流的能力越强
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（50）一个正常放大的三极管,测得它的三个电极c、b、e的电位分别的6V、3.7V、3.0V,则该管是( )管
A.锗PNP
B.锗NPN
C.硅PNP
D.硅NPN
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（51）把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )
A.基本正常
B.将被击穿
C.将被烧坏
D.电流为零
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（52）三极管是一种( )的半导体器件
A.电压控制
B.电流控制
C.既是电压控制又是电流控制
D.功率控制
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（53）三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是( )
A.发射结和集电结同时正偏
B.发射结和集电结同时反偏
C.集电结正偏，发射结反偏
D.集电结反偏，发射结正偏
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（54）温度升高导致三极管参数发生( )变化
A.ICBO，，UBE都增大
B.ICBO，，UBE都减小
C.ICBO，增大，UBE减小
D.，UBE增大，ICBO减小
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（55）共集电极放大电路的输出信号是取自于三极管( )之间
A.基极和射极
B.基极和集电极
C.射极和集电极
D.任意两极之间
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（56）固定偏置共射极放大电路缺点是( )
A.静态工作点不稳定
B.输出波形失真
C.电压放大倍数小
D.带负载能力不强
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（57）在滤波电路中,与负载并联的元件是( )
A.电容
B.电感
C.电阻
D.开关
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（58）某单相桥式整流电路中有一只二极管断路,则该电路( )
A.不能工作
B.仍能工作
C.输出电压降低
D.输出电压升高
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多选题：
（1）要求输入电阻大于10M，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。
A.共源电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共射电路
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（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
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（3）欲实现Au＝－100的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
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判断题：
（1）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
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（2）对于理想的稳压电路，△UO/△UI＝0，Ro＝0。（ ）
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（3）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）
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（4）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）
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（5）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）
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（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
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（7）实现运算电路不一定非引入负反馈。（ ）
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（8）通用型集成运放的输入级多采用差分接法。（ ）
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（9）漂移电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度和外加电压有关。（ ）
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（10）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
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（11）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（ ）
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（12）差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（ ）
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（13）三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（ ）
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（14）因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ）
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（15）产生正弦波振荡的条件是电路必须满足│AF│=1。（ ）
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（16）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（ ）
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（17）三极管具有放大作用外部电压条件是发射结和集电结都正偏。（ ）
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（18）PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。（ ）
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（19）在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（ ）
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（20）直流稳压电源中滤波电路应选用低通滤波电路。（ ）
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（21）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
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（22）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
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（23）如果输入信号的频率很低，最好采用阻容耦合放大器。（ ）
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（24）电压负反馈可以减小输出电阻。（ ）
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（25）电压比较器是用来比较电压相对大小的电路。（ ）
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（26）OCL电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。( )
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（27）同一个放大电路中可以同时引入正反馈和负反馈。（ ）
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（28）半导体中的空穴带正电。（ ）
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（29）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( )
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（30）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
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（31）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
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（32）负反馈使放大电路增益下降，但提高了增益稳定性。（ ）
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（33）差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。（ ）
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（34）瞬时极性法可以判别放大电路的正负反馈类型。( )
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（35）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。（ ）
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（36）互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
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（37）温度升高，二极管的管压降减小。 ( )
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（38）差模信号是大小相等，极性相反的信号。（ ）
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（39）共基极放大电路的高频特性比共射极电路好。（ ）
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（40）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）
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（41）当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC>uB>uE。
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（42）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
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（43）若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。
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（44）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。
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（45）为了减小输出电阻,应在放大电路中引入电流负反馈。
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（46）电压放大电路的空载是指负载RL=0。
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（47）两个相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为2。
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（48）共模信号是大小相等,极性相反的两个信号。
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（49）若反馈深度|1+AF|=0,则,电路处于自激振荡状态。
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主观填空题：
（1）div在本征半导体中掺入微量的五价杂质奥鹏期末考核元素形成uspan##/span/u型半导体，其多数载流子是uspan##/span/u。/div
1、
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2、
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计算题：
（1）文氏电桥式正弦波发生器电路如图所示。1、标出运算放大器的同相输入端和反相输入端；2、估算振荡频率f0；3、说明D1、D2的作用。
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其他题：
（1）
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（2）
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